一种晶圆刻蚀设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111063638A(43)申请公布日2020.04.24(21)申请号201911322531.1(22)申请日2019.12.20(71)申请人泉州圆创机械技术开发有限公司地址362100福建省泉州市惠安县螺阳镇钱塘村24号(72)发明人谢永宁(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种晶圆刻蚀设备(57)摘要本发明公开了一种晶圆刻蚀设备，其结构包括顶喷、排液管、蚀刻装置、外固定框架、转盘、电机、底座、顶升油缸，本发明具有的效果：蚀刻装置主要由晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构组成，通过泵机形成的输送压力，将液箱内部的蚀刻液传输至顶喷，通过顶喷将蚀刻液以喷淋的方式垂直向下输出，使蚀刻液在泵机作用下，在蚀刻框和液箱之间循环，通过晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构形成的晶圆蚀刻结构，能够在蚀刻中使晶圆旋转，并且晶圆外圈会产生一定的外甩引力，使蚀刻液快速充分从晶圆的蚀刻面经过，减少蚀刻液在晶圆中停留的时间，大大提高晶圆的蚀刻效果，使晶圆蚀刻的线路精度高。CN111063638ACN111063638A权利要求书1/1页1.一种晶圆刻蚀设备，其结构包括顶喷(1)、排液管(2)、蚀刻装置(3)、外固定框架(4)、转盘(5)、电机(6)、底座(7)、顶升油缸(8)，其特征在于：所述的底座(7)顶部设有外固定框架(4)，所述的外固定框架(4)前端设有蚀刻装置(3)，所述的蚀刻装置(3)下方设有转盘(5)，所述的转盘(5)底部设有电机(6)，所述的转盘(5)顶部设有顶升油缸(8)，所述的外固定框架(4)顶部设有顶喷(1)，所述的蚀刻装置(3)两侧设有排液管(2)。2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述的蚀刻装置(3)由晶圆固定机构(31)、蚀刻引流机构(32)、蚀刻回液机构(33)、液箱(34)、泵机(35)组成，所述的蚀刻回液机构(33)内部设有蚀刻引流机构(32)，所述的蚀刻引流机构(32)内部设有晶圆固定机构(31)，所述的蚀刻回液机构(33)下方设有液箱(34)，所述的液箱(34)底部设有泵机(35)。3.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述的晶圆固定机构(31)由导流圈(31a)、限位座(31b)、弹簧(31c)、限位杆(31d)、限位垫片(31e)组成，所述的导流圈(31a)顶部设有限位座(31b)，所述的限位座(31b)上设有限位杆(31d)，所述的限位座(31b)后端设有弹簧(31c)，所述的限位座(31b)前端设有限位垫片(31e)。4.根据权利要求3所述的一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述的导流圈(31a)由导流槽(31a1)、导流外环(31a2)、晶圆转盘(31a3)组成，所述的晶圆转盘(31a3)外圈上设有导流外环(31a2)，所述的导流外环(31a2)内圈上设有导流槽(31a1)。5.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述的蚀刻引流机构(32)由滑块(32a)、阻流立板(32b)、支杆(32c)、转环(32d)、分流叶片(32e)组成，所述的转环(32d)外圈上设有滑块(32a)，所述的转环(32d)内圈上设有分流叶片(32e)，所述的分流叶片(32e)顶部设有阻流立板(32b)，所述的分流叶片(32e)下方设有支杆(32c)。6.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述的蚀刻回液机构(33)由滑槽(33a)、蚀刻框(33b)、回液管(33c)、限位轨道(33d)、滑套(33e)组成，所述的蚀刻框(33b)内圈上设有滑槽(33a)，所述的蚀刻框(33b)底部设有限位轨道(33d)，所述的限位轨道(33d)中心位置设有滑套(33e)，所述的限位轨道(33d)两侧设有回液管(33c)。2CN111063638A说明书1/6页一种晶圆刻蚀设备技术领域[0001]本发明涉及晶圆蚀刻领域，尤其是涉及到一种晶圆刻蚀设备。背景技术[0002]晶圆蚀刻，是以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层，晶圆制造工艺中，在曝光及显影后，接下来的蚀刻工序采用湿法时，是采用氢氟酸(HF)缓冲溶液除去未受保护的SiO2层面，再在后道工序中形成线路，通常的晶圆蚀刻采用的方式为蚀刻液浸泡式或鼓泡式对晶圆进行蚀刻，浸泡式或鼓泡式的蚀刻方式会使晶圆长时间待在蚀刻液中，会对晶圆造成较大的侧蚀，严重影响印制线路精度，因此需要研制一种晶圆刻蚀设备，以此来解决现有的晶圆蚀刻方式通常采用蚀刻液浸泡式或鼓泡式对晶圆进行蚀刻，浸泡式或鼓泡式的蚀刻方式会使晶圆长时间待在蚀刻液中，会对晶圆造成较大的侧蚀，严