一种硅晶圆刻蚀机.pdf
雨巷****凝海
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一种硅晶圆刻蚀机.pdf
本发明公开了一种硅晶圆刻蚀机,其结构包括机箱、滴胶枪、承载板、控制面板,机箱内设有滴胶枪与蚀刻头,承载板与滴胶枪、蚀刻头为上下垂直相对,控制面板驱动滴胶枪与蚀刻头,滴胶枪包括滴胶管、支承座、吸附系统、轴承、引管,滴胶管通过支承座用轴承连接固定在机箱内顶端,支承座上固定有四个滴胶管,且每个均对应于承载板,吸附系统用引管连接于滴胶管的进胶口,水平负压管与垂直负压管共同配合抽吸泵并利用汲取口作用在滴胶管两侧,通过产生的负压对残留在滴胶管处的光刻胶汲取排出,双侧同步作用在胶体残留过多时更进一步提高光刻胶的吸附效率
一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法.pdf
本发明提供一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法,刻蚀腔体提供包含HBr的刻蚀气体,以对晶圆进行刻蚀;热处理腔体包括加热系统及排气系统,且热处理腔体的工作温度不小于刻蚀腔体的工作温度,晶圆经刻蚀腔体刻蚀后,进入热处理腔体,并通过加热系统及排气系统排除晶圆表面残留的HBr。通过包括加热系统及排气系统的热处理腔体,在晶圆没有降温的前提下,去除晶圆表面残留的HBr,从而减少氢溴酸对半导体设备的腐蚀,使半导体设备的寿命得以延长;减少晶圆表面HBr凝结的产生,提供产品质量。
一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置.pdf
本发明实施例提供了一种刻蚀机的晶圆传送方法,其中,所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器,其特征在于,所述方法包括:当晶圆完成工艺腔室的工艺后,将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器;在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气;对所述加锁容器充气,直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值;将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物,减少晶圆表面产
一种晶圆刻蚀设备.pdf
本发明公开了一种晶圆刻蚀设备,其结构包括移动轮、刻蚀箱、箱盖、显示屏、控制箱,刻蚀箱底部安装有移动轮,刻蚀箱顶部设有箱盖,控制箱设在箱盖侧面并连接在刻蚀箱顶部,控制箱表面安装有显示屏,刻蚀箱内设有载物台、第一夹具、第二夹具、喷射器、气缸、Y轴导轨、X轴导轨,载物台连接在箱盖底部,载物台的底部两侧分别安装有第一夹具、第二夹具,喷射器设在载物台下方,喷射器底部与气缸相连接,气缸安装在Y轴导轨上,本发明的有益效果是:通过喷射吸回一系列快速操作,能够减少蚀刻液的停留时间,避免蚀刻液的四处流动,且从下往上射出,能够
一种晶圆刻蚀设备.pdf
本发明公开了一种晶圆刻蚀设备,其结构包括顶喷、排液管、蚀刻装置、外固定框架、转盘、电机、底座、顶升油缸,本发明具有的效果:蚀刻装置主要由晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构组成,通过泵机形成的输送压力,将液箱内部的蚀刻液传输至顶喷,通过顶喷将蚀刻液以喷淋的方式垂直向下输出,使蚀刻液在泵机作用下,在蚀刻框和液箱之间循环,通过晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构形成的晶圆蚀刻结构,能够在蚀刻中使晶圆旋转,并且晶圆外圈会产生一定的外甩引力,使蚀刻液快速充分从晶圆的蚀刻面经过,减少蚀刻液在晶圆中停留的