一种μLED巨量转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111128813A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号202010063816.4(22)申请日2020.01.20(71)申请人福州大学地址350108福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学(72)发明人周雄图翁雅恋郭太良张永爱严群吴朝兴林志贤(74)专利代理机构福州元创专利商标代理有限公司35100代理人钱莉蔡学俊(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L27/15(2006.01)H01L33/48(2010.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称一种μLED巨量转移方法(57)摘要本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。CN111128813ACN111128813A权利要求书1/2页1.一种µLED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；步骤S3：令转移基板带有µLED阵列的一面与驱动背板对准压合，使得阵列中的µLED芯片与驱动背板上的像素一一对应，并令µLED阵列上的电极与驱动背板的电极粘合；步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱；步骤S5：将转移基板与驱动背板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；步骤S6：重复步骤S3至步骤S5，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；步骤S7：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起。2.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述发光点阵列包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。3.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。4.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系。5.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于驱动背板电极与µLED芯片电极的黏合力。6.一种µLED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；步骤S3：将转移模板stamp放置于转移基板带有µLED阵列的一面上，使得阵列中的µLED芯片与转移模板stamp上的微米柱子一一对应；步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱，对应的μLED芯片被转移模板stamp上的对应微米柱子拾起；步骤S5：将转移模板stamp与转移基板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到转移模板stamp上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一2CN111128813A权利要求书2/2页次的转移；步骤S6：将拾有μLED芯片的转移模板stamp拾起的μLED芯片对准放置于驱动背板的相应像素上，并令驱动背板电极与µLED芯片电极粘合；步骤S7：重复步骤S3至步骤S6，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLE