一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111430405A(43)申请公布日2020.07.17(21)申请号202010341615.6(22)申请日2020.04.27(71)申请人厦门乾照半导体科技有限公司地址361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号(72)发明人刘鉴明柯志杰谈江乔黄青青柯毅东(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人尹秀(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图9页(54)发明名称一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法(57)摘要本申请实施例提供了一种LED结构及其LED阵列的巨量转移方法，该方法利用光感应材料层覆盖LED阵列背离第二衬底一侧表面，并填充LED阵列中相邻LED之间的间隙，从而使得光感应材料层既可以作为LED阵列与第一衬底之间的键合层，又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，并且通过预设光线对光感应材料层的第一区域照射进行去除，保留光感应材料层的第二区域作为链条图形层，无需额外制备链条图形层，从而简化了LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了键合层和牺牲层以及链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了所述LED巨量转移过程中的成本和工艺难度。CN111430405ACN111430405A权利要求书1/2页1.一种LED阵列的巨量转移方法，其特征在于，包括：在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层，其中，所述LED阵列结构包括：第二衬底以及位于所述第二衬底第一侧的LED阵列，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，所述光感应材料层在预设光线的照射下分解；利用所述光感应材料层，在所述光感应材料层背离所述LED阵列一侧键合第一衬底；去除所述第二衬底，在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧形成第一掩膜版；以所述第一掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层进行照射，直至去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域；其中，所述光感应材料层的第二区域包括第一组成部分和第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁向所述凹槽的中心延伸形成，所述LED通过所述第二组成部分固定在所述凹槽内，且与所述第一衬底之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，还包括：在所述光感应材料层的第二区域背离所述第一衬底的一侧形成第二掩膜版；以所述第二掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层的第二区域的第二组成部分进行照射，去除所述光感应材料层第二组成部分的部分厚度，保留所述第二组成部分的部分厚度。3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第二组成部分保留部分的厚度的取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。4.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形和所述第二掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形互补。5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述预设光线为紫外激光。6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层包括：在LED阵列结构第一侧旋涂激光感应材料，形成覆盖LED阵列的光感应材料层。7.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，去除所述第二衬底包括：利用激光剥离工艺，去除所述第二衬底。8.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，还包括：从所述LED阵列背离所述第一衬底一侧，对所述LED阵列中的各LED进行抓取。9.一种LED结构，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底第一侧的光感应结构，所述光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成；位于所述第一衬底第一侧的LED阵列，所述LED阵列包括多个LED，所述LED位于所述凹槽内，与所述凹槽一一对应，通过所述第二组成部分固定在其对应的所述凹槽内；2CN111430405A权利要求书2/2页其中，所述LED的电极朝向所述第一衬底，且所述LED的电极与所述第一衬底之间具有间隙。10.根据权利要求9所述的LED结构，其特征在于，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。11.根据权利要求9所述的LED结构，