一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111142342A(43)申请公布日2020.05.12(21)申请号202010067663.0(22)申请日2020.01.20(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人郭昭李炳天王振邓治国任志明晏熙黄超刘杰郭荣波李显杰(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人张佳(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法(57)摘要本发明公开了一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用的清洗腔室可以防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化，而重新附着在基板表面，造成显示时白点不良的问题。CN111142342ACN111142342A权利要求书1/2页1.一种光刻胶剥离系统，其特征在于，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室；其中，所述剥离腔室设置有用于喷淋剥离液的第一喷淋机构，以剥离传送至所述剥离腔室的基板上的光刻胶；所述清洗腔室设置有用于向从所述剥离腔室传送至所述清洗腔室的基板上喷水形成均匀水膜的水刀清洗机构，以及设置有用于向形成有所述均匀水膜的基板喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液的第二喷淋机构；所述喷淋腔室用于去除所述基板上含杂质的清洗液。2.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述喷淋腔室包括第一喷淋腔室和第二喷淋腔室；所述第一喷淋腔室设置有用于喷淋四甲基氢氧化铵溶液的第三喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液；所述第二喷淋腔室设置有用于喷淋去离子水的第四喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液。3.如权利要求2所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，各所述喷淋机构包括多个喷淋模块，每个所述喷淋模块设置有喷头。4.如权利要求3所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述剥离腔室、所述清洗腔室和所述喷淋腔室均包括腔体，各所述喷淋机构均包括固定部，所述固定部与所述腔体连接以固定各所述喷头的喷淋位置。5.如权利要求4所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构固定在所述清洗腔室的腔体上，所述水刀清洗机构所在平面相对水平面倾斜设置，且沿所述剥离腔室指向所述清洗腔室的方向，所述水刀清洗机构相对水平面的距离逐渐降低。6.如权利要求5所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为40°～50°。7.如权利要求6所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为45°。8.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为25cm～35cm。9.如权利要求8所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为30cm。10.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述清洗腔室还包括供水机构和排水机构，所述供水机构用于向所述水刀清洗机构和所述第二喷淋机构喷水，所述排水机构用于将清洗完所述基板的废水排出所述清洗腔室。11.如权利要求10所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述供水机构包括固定于所述清洗腔室内的喷水管和设置于所述喷水管出水处的喷头，所述排水机构包括与所述清洗腔室下方固定的排水管。12.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，还包括与所述喷淋腔室连接的干燥腔室；所述干燥腔室设置有用于向从所述喷淋腔室传送至所述干燥腔室的基板喷气的气刀，2CN111142342A权利要求书2/2页以清除所述基板上残留的清洗液。13.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，应用于如权利要求1-12任一项所述的光刻胶剥离系统，包括：将具有光刻胶的基板传送至剥离腔室，进行光刻胶剥离；将所述基板传送至清洗腔室，水刀清洗机构向所述基板上喷水形成均匀水膜，第二喷淋机构向形成有所述均匀水膜的基板上喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液；将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液。14.如权利要求13所述的光刻胶剥离方法，其特征在于，将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液，具体包括：将所述基板传送至第一喷淋腔室，所述第一喷淋腔室的第三喷淋机构向所述基板