一种酸性光刻胶剥离液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108803262A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201810715966.1(22)申请日2018.07.03(71)申请人昆山欣谷微电子材料有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市千灯镇秦峰北路219号(72)发明人刘江华孙翠侠贾亚军潘阳(74)专利代理机构北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548代理人李静(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书2页说明书5页(54)发明名称一种酸性光刻胶剥离液(57)摘要一种酸性光刻胶剥离液，包括有机酸、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，本发明中的光刻胶剥离液，可以在30℃至100℃下完全去除晶圆表面上的光刻胶残留物，完全去除LED芯片和晶圆表面光刻胶残余物的同时，不腐蚀LED芯片和晶圆基底材料以及外延结构。CN108803262ACN108803262A权利要求书1/2页1.一种酸性光刻胶剥离液，包括有机酸、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，所述有机酸为苯甲酸；邻苯二甲酸；甲基磺酸；乙基磺酸；丙基磺酸；丁基磺酸；庚基磺酸；辛基磺酸；2-羟乙基磺酸；氨基磺酸；氨基甲磺酸；克力西丁磺酸；苯磺酸；3-吡啶磺酸；对甲基苯磺酸；对羟基苯磺酸；对二甲苯磺酸；对氨基苯磺酸；苯亚磺酸；5-磺基水杨酸；2-吗啉乙磺酸；3-(N-吗啉)丙磺酸；4-(N-吗啉基)丁磺酸；十二烷基苯磺酸；十三烷基苯磺酸；十八烷基苯磺酸；1,5-萘二磺酸的一种或多种，所述极性有机溶剂为亚砜；砜；咪唑烷酮；吡咯烷酮；咪唑啉酮；酰胺和醇醚中的一种或多，所述腐蚀抑制剂为多元醇类，脲类、酚类，唑类和有机羧酸类中的一种或几种。2.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述有机酸为甲基磺酸、十二烷基苯磺酸和吗啉乙磺酸中的一种或其混合物。3.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述有机酸占0.2-30%。4.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种。5.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种。6.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种。7.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮，N-乙基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种。8.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的酰胺为二甲基甲酰胺，二乙基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种。9.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂中的醇醚为二乙二醇单丁醚，三乙二醇单丁醚，二丙二醇单甲醚和三丙二醇单甲醚。10.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述极性有机溶剂占20-99.9%。11.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述腐蚀抑制剂中的多元醇为乙二醇，1,2-丙二醇，丙三醇，二乙二醇，二丙二醇，赤藓糖醇，木糖醇、山梨糖醇、甲硫醇、乙硫醇、乙二硫醇、1-丙硫醇、1,3-丙二硫醇、苄硫醇、叔丁基硫醇、1-己硫醇、1-十二烷基硫醇、1-十六烷基硫醇中的一种或几种；该酚类较佳的为邻苯二酚，间苯二酚、对苯二酚、4-甲基邻苯二酚，4-叔丁基邻苯二酚，4-羧基邻苯二酚，邻苯三酚，没食子酸，没食子酸甲酯，没食子酸乙酯和没食子酸正丙酯中的一种或几种。12.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述腐蚀抑制剂中的唑类为1,2,4-三唑，3-氨基-1,2,4-三唑，4-氨基-1,2,4-三唑，5-氨基四唑，苯并咪唑，2-巯基-1-甲基咪唑，2-巯基苯并恶唑、巯基-苯并噻唑，苯并三氮唑，甲基苯并三氮唑，1-羟基苯并三唑，1-苯基-5-巯基四氮唑中的一种或几种。13.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述腐蚀抑制剂中的有机羧酸类为柠檬酸，马来酸，DL-苹果酸、邻苯二甲酸、半胱氨酸甲巯丙脯酸、甘氨酸、谷氨酸中的一种或几种。14.根据权利要求1所述一种酸性光刻胶剥离液,其特征在于所述腐蚀抑制剂占0.01-2CN108803262A权利要求书2/2页15%。3CN108803262A说明书1/5页一种酸性光刻胶剥离液技术领域[0001]本发明提供了一种微电子领域，尤其是LED芯片和半导体晶圆制造领域中用于去除光刻胶残余物的光刻胶剥离液组合物及其使用方法，该光刻胶剥离液为酸性清洗剂，在完全去除或剥离光刻胶残余物的同时，不腐蚀基底材料，特别是外延基底。背景技术[0002]在通常的LED芯