形成半导体器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111211061A(43)申请公布日2020.05.29(21)申请号201911140553.6(22)申请日2019.11.20(30)优先权数据62/770,4452018.11.21US16/297,9382019.03.11US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人钟淑维王彦森(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图32页(54)发明名称形成半导体器件的方法(57)摘要根据本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法，包括在半导体晶圆上形成晶种层，在晶种层上涂覆光刻胶，实施光刻工艺以曝光光刻胶，以及显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。暴露晶种层，并且其中，该开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至第一开口的第二开口。在第一开口和第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得开口和与第一开口相邻的所有角度都大于90度。该方法还包括在光刻胶的开口中镀金属焊盘、金属线和金属贴片，去除光刻胶，以及蚀刻晶种层以留下金属焊盘、金属线和金属贴片。根据本申请的实施例，还提供了其他形成半导体器件的方法。CN111211061ACN111211061A权利要求书1/2页1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体晶圆上形成晶种层；在晶种层上涂覆光刻胶；实施光刻工艺以曝光光刻胶；显影光刻胶以在光刻胶中形成开口，其中，暴露所述晶种层，并且其中，所述开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至所述第一开口的第二开口，其中，在所述第一开口和所述第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得所述开口和与所述第一开口相邻的所有角度都大于90度；在所述光刻胶的所述开口中镀所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片；去除所述光刻胶；以及蚀刻所述晶种层以留下所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片。2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用光刻掩模曝光光刻胶，并且所述光刻掩模包括所述金属焊盘的图案、所述金属线的图案和所述金属贴片的图案。3.根据权利要求1所述的方法，还包括，对初始图案实施布尔运算，其中，所述初始图案包括所述金属焊盘的图案和所述金属线的图案。4.根据权利要求3所述的方法，还包括，添加所述金属贴片的图案，其中，所述金属贴片的图案具有邻接所述金属焊盘的图案的边缘的边缘，以及邻接所述金属线的边缘的边缘。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述布尔运算包括确定所述初始图案的边界区域。6.根据权利要求5所述的方法，其中，确定所述初始图案的边界区域包括：从所述初始图案去除所述金属焊盘的图案；缩短所述金属线的图案，以形成缩短的金属线图案；去除未连接至所述金属焊盘的图案的图案；尺寸调整所述缩短的金属线图案，以形成尺寸调整的缩短的金属线图案；以及对所述尺寸调整的缩短的金属线图案和尺寸调整的金属焊盘的图案实施AND操作。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属贴片具有与所述金属线形成第一钝角，以及与所述金属焊盘形成第二钝角的边缘。8.一种形成半导体器件的方法，包括：涂覆光刻胶；图案化所述光刻胶以在所述光刻胶中形成开口，其中，所述开口包括：焊盘部分，其中，所述焊盘部分包括第一边缘；线部分，连接至所述焊盘部分，其中，所述线部分包括第二边缘，并且所述第一边缘和所述第二边缘形成直角；以及三角形贴片部分，包括接触所述第一边缘的第三边缘，和接触所述第二边缘的第四边缘，以及与所述第一边缘和所述第二边缘形成钝角的第五边缘；以及在所述开口中沉积材料以形成连续的部件，其中，所述连续部件包括金属焊盘、连接至所述金属焊盘的金属线，以及分别对应于所述焊盘部分、所述线部分和所述开口的三角形贴片部分的金属贴片。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述开口包括连接至所述焊盘部分的多个线部2CN111211061A权利要求书2/2页分，其中，在所述多个线部分与所述焊盘部分形成直角或锐角的每个角处，存在贴片部分以将所述直角或所述锐角转换成至少两个钝角。10.一种形成半导体器件的方法，包括：从初始图案去除焊盘的图案，其中，所述初始图案包括所述焊盘的图案，以及连接所述焊盘的图案的线的图案；缩短所述线的图案，以形成缩短的线图案；去除未连接至所述焊盘的图案的图案；尺寸调整所述缩短的线图案以形成尺寸调整的缩短的线图案；对所述尺寸调整的缩短的线图案和尺寸调整的焊盘的图案实施AND操作以生成边界区域；以及将贴片的图案添加至所述边界区域以形成修改的图案。3CN111211061A说明书1/12页形成半导体器件的方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及