半导体器件和用于形成半导体器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105895699A(43)申请公布日2016.08.24(21)申请号201610079475.3(22)申请日2016.02.04(30)优先权数据102015102130.72015.02.13DE(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市(72)发明人P·C·布兰特H-J·舒尔策A·R·施特格纳(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人曾立(51)Int.Cl.H01L29/78(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L27/088(2006.01)H01L21/8234(2006.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称半导体器件和用于形成半导体器件的方法(57)摘要本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域。该方法还包括：形成氧化物层。该方法还包括：在形成氧化物层之后，将原子类型群组中至少一种原子类型的原子并入到场效应晶体管结构的源极区域的至少一部分中。该原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子。CN105895699ACN105895699A权利要求书1/2页1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域；形成氧化物层；以及在形成所述氧化物层之后，将原子类型群组中的至少一种原子类型的原子并入到所述场效应晶体管结构的所述源极区域的至少一部分中，其中，所述原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子，其中，在并入所述至少一种原子类型的所述原子之前，去除所述源极区域的一部分。2.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域；形成氧化物层；以及在形成所述氧化物层之后，将原子类型群组中的至少一种原子类型的原子并入到所述场效应晶体管结构的所述源极区域的至少一部分中，其中，所述原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子，其中，在并入所述至少一种原子类型的所述原子之前，去除所述源极区域的一部分，其中，在并入所述至少一种原子类型的所述原子之后的所有过程是在低于800℃的温度下执行的。3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，将50％以上的所并入的所述至少一种原子类型的原子并入到所述源极区域的表面区域中，其中，所述表面区域包括小于150nm的厚度。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，将所述至少一种原子类型的所述原子并入到所述源极区域的至少一部分中包括：相对于所述半导体衬底的主表面以倾斜植入角度来植入所述至少一种原子类型的所述原子。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，形成所述源极区域包括：在形成所述氧化物层之前，将第一掺杂剂类型的掺杂剂原子并入到所述半导体衬底的区域中。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，包括：将接触沟槽蚀刻到所述半导体衬底中，其中，所述源极区域的表面形成所述接触沟槽的侧壁的至少一部分，并且所述半导体衬底的本体区域的表面形成所蚀刻的接触沟槽的底部的至少一部分。7.根据权利要求6所述的方法，包括：在并入所述至少一种原子类型的所述原子之后，蚀刻所述接触沟槽的所述底部处的所述本体区域的至少部分。8.根据权利要求6或7所述的方法，还包括：在并入所述至少一种原子类型的所述原子之后，将第二掺杂剂类型的掺杂剂原子并入到所述接触沟槽的所述底部处的所述本体区域中。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，还包括：在并入所述至少一种原子类型的所述原子之前，在大于900℃的温度下回火所述氧化物层。10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，包括：在所述半导体衬底中相邻于所述源极区域和所述本体区域形成栅极沟槽。11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，包括：将所述氧化物层形成在栅极电极结构的至少部分上，所述栅极电极结构形成在所述半导体衬底的至少部分上。12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述至少一种原子类型的所述原2CN105895699A权利要求书2/2页子是硒原子。13.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述至少一种原子类型的所述原子的植入剂量处于5×1013和4×1015个原子/cm2之间的范围内。14.一种半导体器件，包括：场效应晶体管结构的本体区域，其形成在所述场效应晶体管结构的漂移区域和所述场效应晶体管结构的源极区域之间；其中，所述半导体衬底在所述本体区域和所述漂移区域之间的p-n结处以小于1×1013cm-3的原子浓度包含硫族元素原子，其中，所述源极区域的至少部分以大于1×1014cm-3的原子浓度包含所述硫族元素原子。15.根据权