形成半导体器件的方法及半导体器件.pdf
秋花****姐姐
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形成半导体器件的方法及半导体器件.pdf
在实施例中,一种形成半导体器件的方法包括:在源极/漏极区和栅极掩模上沉积保护层,栅极掩模设置在栅极结构上,栅极结构设置在衬底的沟道区上,沟道区邻接源极/漏极区;蚀刻穿过保护层的开口,开口暴露该源极/漏极区;在开口中和在保护层上沉积金属;对金属进行退火,以在源极/漏极区上形成金属半导体合金区;以及利用清洗工艺从开口去除金属的残留物,该保护层在清洗工艺期间覆盖栅极掩模。根据本申请的其他实施例,还提供了一种半导体器件。
用于形成半导体器件的方法和半导体器件.pdf
本发明涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法,包括:将定义剂量的质子注入到半导体衬底中,并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数,选择质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个。
半导体器件和用于形成半导体器件的方法.pdf
本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。该方法包括:在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域。该方法还包括:形成氧化物层。该方法还包括:在形成氧化物层之后,将原子类型群组中至少一种原子类型的原子并入到场效应晶体管结构的源极区域的至少一部分中。该原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子。
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件.pdf
一种形成半导体器件的方法包括:在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分;以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外,该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分,以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外,该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面:去除多个非半导体材料部分中的至少子集,而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分;或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分,而保留
半导体器件结构、其形成方法及半导体器件.pdf
本发明提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件,该半导体器件结构的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构;在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区;形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线;在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区;形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程,并制备栅极介质层和金属层,最终形成第一