形成半导体器件的方法及半导体器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114975611A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210091681.1(22)申请日2022.01.26(30)优先权数据63/150,7452021.02.18US17/339,4522021.06.04US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人吴泱澄陈筠桦谢文国林焕哲(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L29/417(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图22页(54)发明名称形成半导体器件的方法及半导体器件(57)摘要在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在源极/漏极区和栅极掩模上沉积保护层，栅极掩模设置在栅极结构上，栅极结构设置在衬底的沟道区上，沟道区邻接源极/漏极区；蚀刻穿过保护层的开口，开口暴露该源极/漏极区；在开口中和在保护层上沉积金属；对金属进行退火，以在源极/漏极区上形成金属半导体合金区；以及利用清洗工艺从开口去除金属的残留物，该保护层在清洗工艺期间覆盖栅极掩模。根据本申请的其他实施例，还提供了一种半导体器件。CN114975611ACN114975611A权利要求书1/2页1.一种形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区和栅极掩模上沉积保护层，所述栅极掩模设置在栅极结构上，所述栅极结构设置在衬底的沟道区上，所述沟道区邻接所述源极/漏极区；蚀刻穿过所述保护层的开口，所述开口暴露所述源极/漏极区；在所述开口中和在所述保护层上沉积金属；对所述金属进行退火，以在所述源极/漏极区上形成金属半导体合金区；以及利用清洗工艺从所述开口去除所述金属的残留物，所述保护层在所述清洗工艺期间覆盖所述栅极掩模。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洗工艺包括使用稀氢氟酸执行湿法蚀刻，并且在所述湿法蚀刻期间不发生所述栅极掩模的蚀刻。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极/漏极区包括主层和精整层，所述方法还包括：蚀刻穿过所述源极/漏极区的所述精整层的所述开口，所述开口暴露所述源极/漏极区的所述主层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述保护层包括氮化硅，并且蚀刻所述开口包括使用硫化羰执行干法蚀刻。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述干法蚀刻期间不发生对所述源极/漏极区的所述主层的蚀刻。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层的厚度在1nm至3nm的范围内。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述源极/漏极区上沉积接触蚀刻停止层(CESL)；在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质(ILD)；形成穿过所述层间电介质和所述接触蚀刻停止层的接触开口；以及在形成所述接触开口之后，扩展所述接触开口，所述保护层在扩展所述接触开口之后沉积在所述接触开口中。8.根据权利要求7所述的方法，其中，扩展所述接触开口包括在室温下用氟化氢和氨蚀刻所述层间电介质。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区上沉积接触蚀刻停止层(CESL)；在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质(ILD)；形成穿过所述层间电介质和所述接触蚀刻停止层的接触开口，所述接触开口暴露所述源极/漏极区的顶表面和所述接触蚀刻停止层的侧壁；在形成所述接触开口之后，通过用各向同性蚀刻工艺蚀刻所述层间电介质来扩展所述接触开口；以及在所述接触开口中形成源极/漏极接触件。10.一种半导体器件，包括：栅极结构，在衬底的沟道区上；栅极掩模，在所述栅极结构上；源极/漏极区，邻接所述沟道区；2CN114975611A权利要求书2/2页源极/漏极接触件，连接到所述源极/漏极区，所述源极/漏极接触件具有带有弯曲侧壁的上部部分和带有直侧壁的下部部分；以及接触间隔件，围绕所述源极/漏极接触件，所述接触间隔件接触所述栅极掩模的侧壁。3CN114975611A说明书1/16页形成半导体器件的方法及半导体器件技术领域[0001]本申请的实施例涉及形成半导体器件的方法以及半导体器件。背景技术[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如，例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序地沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻法图案化各材料层以在这些材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。[0003]半导体行业通过不断减少最小部件尺寸以不断提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而能让更多的组件集成到特定的区域内。然而，随着最小部件尺寸减小，出现了应解决的附加问题。发明内容[0004]根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括