形成半导体器件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114975104A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202110919189.4H01L21/311(2006.01)(22)申请日2021.08.11H01L21/3213(2006.01)H01L21/8238(2006.01)(30)优先权数据63/154,0012021.02.26US17/314,4452021.05.07US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人高浚祐林颂恩赵家峥(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/306(2006.01)H01L21/3065(2006.01)H01L21/308(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图27页(54)发明名称形成半导体器件的方法(57)摘要形成半导体器件的方法包括：在目标层上方沉积第一掩模；在第一掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在第一芯轴上形成第一间隔件并且在第二芯轴上形成第二间隔件；以及选择性去除第二间隔件同时掩蔽第一间隔件。掩蔽第一间隔件包括用第二掩模和第二掩模上方的覆盖层覆盖第一间隔件，并且覆盖层包括碳。方法还包括图案化第一掩模以及将第一掩模的图案转移至目标层。图案化第一掩模包括用第二芯轴、第一芯轴和第一间隔件掩蔽第一掩模。CN114975104ACN114975104A权利要求书1/2页1.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层的第一区域和所述目标层的第二区域上方沉积第一掩模；在所述第一掩模上方形成多个芯轴；在所述多个芯轴的侧壁上形成多个间隔件；在所述多个芯轴和所述多个间隔件上方沉积第二掩模；在所述第二掩模上方形成覆盖层，其中，所述覆盖层包括碳；以及图案化所述第二掩模和所述覆盖层以暴露所述多个芯轴中的第一芯轴和所述多个间隔件中的第一间隔件，所述第一芯轴和所述第一间隔件与所述目标层的所述第一区域重叠。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：去除所述第一间隔件；在去除所述第一间隔件之后，去除所述覆盖层的剩余部分和所述第二掩模的剩余部分；在去除所述覆盖层的剩余部分和所述第二掩模的剩余部分之后，图案化所述第一掩模，其中，图案化所述第一掩模包括将所述第一芯轴的图案转移至所述第一掩模；以及将所述第一掩模的图案转移至所述目标层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化所述第一掩模包括将第二间隔件的图案转移至所述第一掩模，其中，所述第二间隔件由所述多个间隔件组成，并且其中，所述第二间隔件与所述目标层的第二区域重叠。4.根据权利要求3所述的方法，其中，图案化所述第一掩模包括将第二芯轴的图案转移至所述第一掩模，其中，所述第二芯轴设置在所述第二间隔件之间。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层具有至少30％的碳浓度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述覆盖层包括在与沉积所述第二掩模相同的工艺室中形成所述覆盖层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积所述第二掩模包括在所述多个间隔件和所述多个芯轴上方流动第一含碳前体和氧，其中，形成所述覆盖层包括在所述第二掩模上方流动第二含碳前体而不流动氧。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二含碳前体是与所述第一含碳前体相同的化合物。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方沉积第一硬掩模；在所述第一硬掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在所述第一芯轴的侧壁上形成第一间隔件，并且在所述第二芯轴的侧壁上形成第二间隔件；在所述第一芯轴、所述第二芯轴、所述第一间隔件和所述第二间隔件上方沉积氧化物层；在所述氧化物层上方形成含碳覆盖层；图案化所述含碳覆盖层以暴露所述氧化物层；图案化所述氧化物层以暴露所述第二芯轴和所述第二间隔件，同时用所述含碳覆盖层2CN114975104A权利要求书2/2页掩蔽所述第一间隔件和所述第一芯轴；去除所述第二间隔件；在去除所述第二间隔件之后，去除所述含碳覆盖层和所述氧化物层的剩余部分；将所述第一间隔件、所述第一芯轴和所述第二芯轴的图案转移至所述第一硬掩模；以及使用所述第一硬掩模作为掩模图案化所述目标层。10.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方沉积第一掩模；在所述第一掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在所述第一芯轴上形成第一间隔件，并且在所述第二芯轴上形成第二间隔件；选择性去除所述第二间隔件，同时掩蔽所述第一间隔件，其中，掩蔽所述第一间隔件包括用第二掩模和所述第二掩模上方的覆盖层覆盖所述第一间隔件，并且其中，所述覆盖层具有至少30％的碳；图案化所述第一掩模，其中，图案化所述第一掩模包括用所述第二芯轴、所述第一芯轴和所述第一间隔件掩蔽所述第一掩模；以及将所述第一掩模的图案转移至所述目标层。3CN