晶圆的处理方法和晶圆的处理系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111243944A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号202010071963.6(22)申请日2020.01.21(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72)发明人夏余平顾立勋徐融任德营(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人霍文娟(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称晶圆的处理方法和晶圆的处理系统(57)摘要本申请提供了一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统。该方法包括：对晶圆进行湿法处理；向晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止晶圆上的水与空间内的气体接触。上述的处理方法中，在对晶圆进行湿法处理之后，向晶圆所在的空间中通入惰性气体，进而使得晶圆所在的空间中的氧气的密度变小，进而使得与晶圆上的水接触的氧气较少，从而使得晶圆的表面上生成的水印较少，并且，该方法中仅仅向晶圆所在的空间中通入惰性气体，该惰性气体不会与该空间中的其他物质反应，不会在晶圆上残留物质，避免了现有技术中的IPA干燥法引入有机物的问题，从而也保证了后续工艺的正常进行，保证了后续形成的结构的性能较好，从而保证了器件具有良好的性能。CN111243944ACN111243944A权利要求书1/1页1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：对晶圆进行湿法处理；向所述晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止所述晶圆上的水与所述空间内的气体接触。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对晶圆进行湿法处理之后，所述方法还包括：对所述晶圆进行加热。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在向所述晶圆所在的空间中通入惰性气体之后，所述方法还包括：对所述晶圆进行加热。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，采用红外光对所述晶圆进行加热。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氮气。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述晶圆进行湿法处理之前，所述方法还包括：向所述晶圆所在的空间中通入空气。7.一种晶圆的处理系统，其特征在于，所述处理系统包括：惰性气体存储设备，用于存储惰性气体；送风装置，与所述惰性气体存储设备可切断地连通，所述送风装置用于向晶圆所在的空间中通入所述惰性气体，以防止所述晶圆上的水与所述空间内的气体接触。8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述处理系统还包括：加热装置，用于对所述晶圆进行加热。9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述处理系统还包括：载具，所述载具用于承载所述晶圆，所述加热装置设置在所述载具的一侧。10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述加热装置为红外加热装置。11.根据权利要求7至10中任一项所述的系统，其特征在于，所述送风装置包括出风口，所述惰性气体存储设备与所述出风口可切断地连通，所述系统还包括：空气存储设备，用于存储空气，所述空气存储设备与所述出风口可切断地连通。12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述处理系统还包括第一控制阀和第二控制阀，所述第一控制阀设置在所述出风口和所述惰性气体存储设备之间的管路上，所述第二控制阀设置在所述出风口和所述空气存储设备之间的管路上。13.根据权利要求7至10中任一项所述的系统，其特征在于，所述送风装置为送风过滤装置。2CN111243944A说明书1/6页晶圆的处理方法和晶圆的处理系统技术领域[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统。背景技术[0002]水印(Watermark)一直是湿法工艺(WetProcess)存在的问题，在晶圆疏水性差的情况下，晶圆表面的水、晶圆的硅以及空气中的氧气迅速反应极易产生水印。水印会使得器件的接触性能不好，电阻较大。[0003]目前，主要通过IPA干燥法来减少水印的产生，该干燥法利用异丙醇和水共溶将晶圆表面的水分迅速去除，从而减少水印的产生。但是，该方法会将一些有机物(比如异丙醇)引入晶圆中，尤其对于具有深孔的晶圆来说，这个问题更加严重，会影响后续的鳍等沉积的均匀性和致密性等，导致器件的性能较差。[0004]在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。发明内容[0005]本申请的主要目的在于提供一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统，以解决现有技术中IPA干燥法在去除水印的同时引入有机物导致器件的性能较差的问题。[0006]为了实现上述目的，根据本