预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共31页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地,本发明涉及一种电子器件,其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层,其中所述第一空穴传输层包含:(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物,和(ii)至少一种p型电掺杂剂,所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物,其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自:碱金属;碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd;处于氧化态(II)或(III)的稀土金属;Al、Ga、In;和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W;前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂