电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法.pdf
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电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法.pdf
本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地,本发明涉及一种电子器件,其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层,其中所述第一空穴传输层包含:(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物,和(ii)至少一种p型电掺杂剂,所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物,其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自:碱金属;碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd;处于氧化态(II
半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备.pdf
本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备,涉及半导体技术领域。该半导体器件包括高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管,所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极和第一源极;低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管,所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极;其中,所述第一栅极和所述第二源极连接,所述第一源极和所述第二漏极连接,半导体器件的源极为所述第二源极,所述半导体器件的栅极为所述第二栅极,所述半导体器件的漏极为所述第一漏极。该半导体器件为共源共栅结构,结
半导体器件的制备方法和半导体器件.pdf
本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件,包括:提供一衬底,衬底上形成有外延层,外延层上形成有ESD结构和第一氧化层,外延层中形成有DTI结构;在ESD结构、第一氧化层和DTI结构的表面形成第二氧化层;去除ESD结构、第一氧化层和DTI结构上方的第二氧化层,剩余的第二氧化层在ESD结构的周侧形成侧壁;在ESD结构和第一氧化层的上方依次形成第一层间介质和第二层间介质;在第一层间介质、第二层间介质和DTI结构中形成接触通孔,在接触通孔上形成金属引线,接触通孔的底端与DTI结构连接。本申请通过在ESD结
半导体器件和制备半导体器件的方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件和制备半导体器件的方法。该半导体器件包括:第一硅层(110;210);第一介质层(120;220),位于该第一硅层(110;210)上面,该第一介质层(120;220)包含窗口(121;221),该第一介质层(120;220)的窗口(121;221)底部的横向尺寸不超过20nm;III-V族半导体层(130;230),位于该第一介质层(120;220)上面以及该第一介质层(120;220)的窗口(121;221)内,并在该第一介质层(120;220)的窗口(121;221)内与该
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅