一种沉积装置和沉积方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113388826A(43)申请公布日2021.09.14(21)申请号202110608312.0(22)申请日2021.06.01(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人詹昶王新胜王雄禹张佳新(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449代理人蔡纯刘静(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/458(2006.01)C23C16/50(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称一种沉积装置和沉积方法(57)摘要本发明公开了一种沉积装置和沉积方法。根据本发明实施例的沉积装置包括沉积腔；支撑架，位于所述沉积腔中；以及第二喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第一侧，用于提供反应气体，其中，所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部；所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处，且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出；所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。根据本发明实施例的沉积装置和沉积方法，能够同时在晶圆边缘和晶圆背面沉积薄膜，节约了资源。CN113388826ACN113388826A权利要求书1/2页1.一种沉积装置，其特征在于，包括：沉积腔；支撑架，位于所述沉积腔中；以及第二喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第一侧，用于提供反应气体，其中，所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部；所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处，且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出；所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑架上的所述支撑部的数量为多个，且相邻两支撑部之间的夹角相同。3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑架上的所述支撑部的数量为3个。4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部的横截面形状为等腰三角形。5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部的上表面位于所述边框上表面所在平面与所述边框下表面所在平面之间。6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部用于承载晶圆；所述支撑部的上表面与所述边框上表面之间的间距大于或等于所述晶圆侧表面的厚度。7.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：第一喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第二侧，用于提供净化气体。8.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：装载腔，用于装载待沉积晶圆；以及传输腔，分别与所述装载腔和所述沉积腔相连接，用于将所述装载腔中的所述待沉积晶圆传输至所述沉积腔中。9.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括：第一工位，用于对晶圆进行第一次沉积反应；第二工位，用于对第一次沉积反应后的晶圆进行第二次沉积反应；以及转运单元，用于接收所述第一工位处的所述第一次沉积反应后的晶圆并将其转运至所述第二工位，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。10.根据权利要求9所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：第一沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第一工位位于所述第一沉积腔中；以及第二沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第二工位位于所述第二沉积腔中。11.一种沉积方法，其特征在于，包括：在根据权利要求1至10中任一项所述的沉积装置中放置晶圆，其中，所述多个支撑部与所述晶圆的下表面接触，所述晶圆与所述边框之间具有间隙；所述晶圆的侧表面位于所述气体通道上；以及2CN113388826A权利要求书2/2页将反应气体输送至所述晶圆的下表面，所述反应气体经过所述晶圆的下表面和侧表面，从而在所述下表面和所述侧表面上形成沉积层。12.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法还包括：将净化气体输送至所述晶圆的上表面。13.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，包括：将所述晶圆放置在第一工位；进行第一沉积反应，在所述晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第一沉积层；将所述晶圆移动至第二工位；进行第二沉积反应，至少在所述晶圆的下表面沉积得到第二沉积层，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。14.根据权利要求13所述的沉积方法，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述晶圆至少旋转预定角度。15.根据权利要求13所述的沉积方法，其特征在于，所述第一工位和所述第二工位位于不同的沉积腔中。3CN113388826A说明书1/7页一种沉积装置和沉积方法技术领域[