薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112941489A(43)申请公布日2021.06.11(21)申请号202110107889.3(22)申请日2021.01.27(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人李锋(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人郭凤杰(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)C23C16/46(2006.01)C23C16/40(2006.01)C23C16/52(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图4页(54)发明名称薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置(57)摘要本申请涉及一种薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置。薄膜沉积方法包括：将基片放入炉管内，炉管包括用于放置基片的第一区段，第一区段具有反应气体的进气口；在第一预设时间内，将对第一区段进行加热的第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度，第一加热模块包围第一区段；在第二预设时间内，保持第一加热模块持续处于第一预设温度；在第三预设时间内，将反应气体由进气口通入炉管内，且将第一加热模块由第一预设温度升温至第二预设温度，以于放置于第一区段的基片表面形成目标薄膜。本申请可以通过升温过程中的基片边缘与中央的升温速率差异，平衡低温的反应气体导致的基片边缘温度与中央温度的差异，从而形成质量均匀的薄膜。CN112941489ACN112941489A权利要求书1/2页1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：将基片放入炉管内，所述炉管包括用于放置所述基片的第一区段，所述第一区段具有反应气体的进气口；在第一预设时间内，将第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度，所述第一加热模块包围所述第一区段，且用于加热所述第一区段；在第二预设时间内，保持所述第一加热模块持续处于所述第一预设温度；在第三预设时间内，将所述反应气体由所述进气口通入炉管内，且将所述第一加热模块由所述第一预设温度升温至第二预设温度，以于放置于所述第一区段的所述基片表面形成目标薄膜。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述炉管还包括用于放置所述基片的第二区段，所述反应气体由所述第一区段的进气口流至所述第二区段；在所述第一预设时间内，将第二加热模块从第二初始温度加热至第三预设温度，所述第二加热模块包围所述第二区段，且用于加热所述第二区段；在所述第二预设时间内，保持所述第二加热模块持续处于所述第三预设温度；在所述第三预设时间内，将所述第二加热模块由所述第三预设温度降温至第四预设温度，以于放置于所述第二区段的所述基片表面形成所述目标薄膜。3.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第三预设温度高于所述第一预设温度。4.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一预设温度为成膜所要求的最低温度，所述第三预设温度为成膜所要求的最高温度。5.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一初始温度与所述第二初始温度相同，在所述第一预设时间内，所述第一加热模块的加热速率小于对所述第二加热模块的加热速率。6.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一区段位于所述炉管的下部，所述第二区段位于所述炉管的上部，所述进气口位于所述第一区段的下部。7.根据权利要求6所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述炉管内的基片装载于晶舟上，所述晶舟装满所述基片，自所述第一区段延伸至所述第二区段。8.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在第三预设时间内，所述第一加热模块的升温过程与所述第二加热模块的降温过程同步进行。9.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，将所述第一加热模块由所述第一预设温度升温至所述第二预设温度的升温速率为2℃‑15℃，将所述第二加热模块由所述第三预设温度降温至所述第四预设温度的降温速率为1℃‑10℃。10.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，还包括：在第四预设时间内，将所述第一加热模块由所述第二预设温度降温至所述第一初始温度，且将所述第二加热模块由所述第四预设温度降温至所述第二初始温度。11.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一预设时间、所述第二预设时间、所述第三预设时间以及所述第四预设时间形成一个生长周期，所述薄膜沉积方法还包括：2CN112941489A权利要求书2/2页循环进行多个所述生长周期，形成具有预设厚度的目标薄膜。12.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述目标薄膜包括二氧化硅薄膜，所述反应气体包括正硅酸乙酯。13.一种薄膜沉积装置，用于实现权利要求1‑12任一项所述的薄膜沉积方法，其特征在于，包括：炉管，所述炉管包括用于放置基片的第一区段