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晶圆背面的处理方法.pdf
2023-11-13
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戊午****jj
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晶圆背面的处理方法.pdf
本发明涉及一种晶圆背面的处理方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆背面形成一个或多个应力薄膜层，所述一个或多个应力薄膜层中包括至少一个导电层；对所述晶圆背面进行湿法刻蚀，去除所述一个或多个应力薄膜层中的至少一个应力薄膜层，在所述晶圆背面形成裸露的导电层或残留的导电物质；以及对所述晶圆背面进行氧化处理，在所述裸露的导电层或残留的导电物质上方形成氧化层。根据该处理方法可以减少在后续制程中由于裸露的导电层或残留的导电物质吸附带电粒子而造成产品表面的缺陷，提高了产品良率。
2023-11-13
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本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤：建立映射关系，所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间，所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度，所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定；获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度；根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间；根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
2023-06-15
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晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括：支撑台，具有用于承载晶圆的承载面；喷嘴，位于所述支撑台上方，且仅具有气体喷口，所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动，所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面，减少了所述晶圆表面液体的残留；另一方面，减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题，提高了晶圆产品的良率。
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晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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