一种平板式PECVD设备用石墨框.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111748797A(43)申请公布日2020.10.09(21)申请号201910250140.7(22)申请日2019.03.29(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人陈特超禹庆荣许烁烁唐电李建志吴易龙(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人周长清徐好(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/46(2006.01)C23C16/513(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种平板式PECVD设备用石墨框(57)摘要本发明公开了一种平板式PECVD设备用石墨框，包括载板，所述载板的上表面设有多个用于放置硅片的第一凹槽，载板的下表面设有多个第二凹槽，各所述第二凹槽与各所述第一凹槽一一对应布置、且第二凹槽与第一凹槽之间留有隔层，所述载板的下表面相对的两侧设有导轨条。本发明具有结构简单、强度高、有利于保持硅片的热均匀性等优点。CN111748797ACN111748797A权利要求书1/1页1.一种平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：包括载板(1)，所述载板(1)的上表面设有多个用于放置硅片的第一凹槽(11)，载板(1)的下表面设有多个第二凹槽(12)，各所述第二凹槽(12)与各所述第一凹槽(11)一一对应布置、且第二凹槽(12)与第一凹槽(11)之间留有隔层(13)，所述载板(1)的下表面相对的两侧设有导轨条(2)。2.根据权利要求1所述的平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：各所述第一凹槽(11)呈矩形阵列式布置、且与所述导轨条(2)平行方向的数量小于与导轨条(2)垂直方向的数量。3.根据权利要求1所述的平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：所述第一凹槽(11)的深度比硅片的厚度大0.4-0.6mm。4.根据权利要求3所述的平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：所述第二凹槽(12)的深度为1.8-2.2mm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：所述第一凹槽(11)的侧壁上设有导引斜面(14)。6.根据权利要求1至4中任一项所述的平板式PECVD设备用石墨框，其特征在于：所述载板(1)的下表面设置有多条间隔布置的加强筋(15)，所述加强筋(15)与所述导轨条(2)垂直布置。2CN111748797A说明书1/2页一种平板式PECVD设备用石墨框技术领域[0001]本发明涉及平板式PECVD设备，尤其涉及一种平板式PECVD设备用石墨框。背景技术[0002]平板式PECVD设备用石墨框，主要用于批量承载硅片，通常由辊轮传动系统驱动，带动装有硅片的石墨框在不同的工艺腔室之间传递，完成相应的工艺过程。目前用于平板式PECVD设备的石墨框，在表面开设有多个定位槽用于放置硅片，定位槽包围的区域为镂空结构。现有的石墨框强度较差，使用一段时间后，石墨框容易发生变形。随着产能的增加，石墨框的装片量越来越多，石墨框的尺寸也越来越大，由于跨度增大，上述变形也更大。更严重的是，工艺过程中，由于硅片边缘与石墨框接触，而中心区域则未与石墨框接触，造成硅片中心区域的散热大于边缘区域，不利于保证硅片的热均匀性，而硅片的热均匀性和工艺腔室内部气氛的均匀性是保证沉膜质量的关键。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、强度高、有利于保持硅片的热均匀性的平板式PECVD设备用石墨框。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0005]一种平板式PECVD设备用石墨框，包括载板，所述载板的上表面设有多个用于放置硅片的第一凹槽，载板的下表面设有多个第二凹槽，各所述第二凹槽与各所述第一凹槽一一对应布置、且第二凹槽与第一凹槽之间留有隔层，所述载板的下表面相对的两侧设有导轨条。[0006]作为上述技术方案的进一步改进：各所述第一凹槽呈矩形阵列式布置、且与所述导轨条平行方向的数量小于与导轨条垂直方向的数量。[0007]作为上述技术方案的进一步改进：所述第一凹槽的深度比硅片的厚度大0.4-0.6mm。[0008]作为上述技术方案的进一步改进：所述第二凹槽的深度为1.8-2.2mm。[0009]作为上述技术方案的进一步改进：所述第一凹槽的侧壁上设有导引斜面。[0010]作为上述技术方案的进一步改进：所述载板的下表面设置有多条间隔布置的加强筋，所述加强筋与所述导轨条垂直布置。[0011]与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明公开的平板式PECVD设备用石墨框，在载板的上表面、下表面分别设置第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽用于放置硅片、