

平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计.docx
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平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计.docx
平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计平板式PECVD设备工艺腔加热系统设计本文旨在探讨平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计和优化。平板式PECVD工艺是目前最常用的制备大面积薄膜的技术之一。由于在PECVD过程中,反应需要在较高温度下进行,因此加热系统是关键的组成部分。作为一种重要的物理化学制备工艺,PECVD加热系统的设计和改进对于薄膜的质量和产率的提高都具有重要意义。一、工艺腔加热系统的组成平板式PECVD设备的工艺腔加热系统由以下三个主要部分组成:热源、加热室和温度控制系统。1.热源加热系统
平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计.pptx
,目录PartOnePartTwo加热系统的作用加热系统的组成加热系统的设计要求PartThree加热元件的选择加热元件的布局温度控制系统的设计安全保护装置的设计PartFour加热速度的测试温度均匀性的测试加热稳定性的测试能效比的测试PartFive加热系统在不同工艺中的应用加热系统的优化方案加热系统的维护与保养加热系统的改进与发展趋势PartSix加热速度快,均匀性好安全可靠,易于维护能效比高,节能环保适应性强,应用范围广THANKS
PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备.pdf
本发明公开了一种PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备。加热系统包括炉体和半导体加热单元,炉体包括炉壳、炉体保温层、炉丝、反应管和媒介管道,半导体加热单元的热端设有热媒输出管和热媒输入管且冷端设有冷媒输出管和冷媒输入管,媒介管道设于炉丝与反应管之间,热媒输出管和热媒输入管分别与媒介管道的两端连接,冷媒输出管和冷媒输入管分别与媒介管道的两端连接。方法包括一次镀膜、主动降温、二次镀膜,利用半导体冷端冷媒主动对反应管吸热降温。设备包括预热箱和上述加热系统,预热箱内设有第一热媒管道,其两端分别与热
一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺.pdf
本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括:沉积腔室本体,上电极和下电极,均设置在沉积腔室本体内部,上电极和下电极用于施加电源,并在上电极和下电极之间形成等离子体;真空腔室阀门,设置在沉积腔室本体内部,用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压,并且在关闭状态下密封沉积腔室本体;固定载具,固定载具与下电极固连,位于上电极和下电极之间,用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中,在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具,从根本上杜绝了污染源,
一种平板式PECVD设备用石墨框.pdf
本发明公开了一种平板式PECVD设备用石墨框,包括载板,所述载板的上表面设有多个用于放置硅片的第一凹槽,载板的下表面设有多个第二凹槽,各所述第二凹槽与各所述第一凹槽一一对应布置、且第二凹槽与第一凹槽之间留有隔层,所述载板的下表面相对的两侧设有导轨条。本发明具有结构简单、强度高、有利于保持硅片的热均匀性等优点。