PECVD石墨舟.pdf

2024-03-26

10

3.9MB

PECVD舟.pdf

本发明涉及具有至少一个用于容纳晶圆的舟板的PECVD舟，用于进入和离开真空镀膜室。本发明所解决的问题是提出一种低质量的用于容纳晶圆并将晶圆送入及送出真空室的PECVD舟，其通过更大的晶圆容量、缩短的过程周期以及加热和均匀化阶段的能源节省来实现真空镀膜室产量的提升。该问题得以解决是因为舟板(21)为垂直树立，并具有多个在舟板(21)的纵向上向上打开的用于容纳晶圆(22)的U形容纳狭槽(23)，通过这种方式使插入容纳狭槽(23)的晶圆(22)与舟板(21)的板线平齐。

2024-01-10

10

397KB

一种PECVD石墨舟载具的制造方法.pdf

本发明公开了一种PECVD石墨舟载具的制造方法，将浸渍浆料均匀涂覆在石墨舟半成品零件的表面上，放入具有保护气氛的反应炉中进行高温裂解反应，浸渍浆料在石墨舟半成品零件的表面上形成碳化硅膜层，得到石墨舟成品零件再组装成石墨舟。添加硅粉的聚碳硅烷浸渍浆料在石墨舟半成品零件的碳材料表面高温裂解，通过硅‑碳相互作用在碳材料表面原位生长形成一层碳化硅膜层，在疏松多孔的碳材料表面形成一层致密稳定的保护层，耐高温、氧化、冷热冲击，在石墨舟生产过程中能提高其使用寿命，减少石墨舟维护时间以及成本，降低企业生产成本。

2023-06-16

10

248KB

一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺.pdf

一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺，开始，充氮，开炉门，关炉门，慢抽，升温，恒温，恒压，预沉积，沉积步骤分成三次执行，在石墨舟表面填补沉积饱和后形成稳定的碳化硅SiC膜层，第一次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第二次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第三次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，抽真空，充氮气N2，抽真空，充氮气N2回常压，开炉门，取舟，采用甲烷、硅烷对PECVD清洗后的石墨舟进行预处理饱和，石墨舟内外表面的碳化硅SiC膜层即能起到耐腐蚀膜层的作用，也具为更光滑的石墨性质，能够形成对

2023-06-15

10

257KB

一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置.pdf

本发明公开了一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置，包括：长直状的电极杆，其由刚性导电材料制成；以及分别连接于所述电极杆两端的接电固定组件及电极头，其中，所述接电固定组件由刚性绝缘材料制成，所述接电固定组件安装于炉盖的外侧，从所述接电固定组件引出的电极杆穿过所述炉盖后沿着所述真空反应炉的轴线方向延伸至所述真空反应炉的内部。根据本发明，其相比原有的通过石墨舟角与陶瓷支撑杆上电极转接组件接触方式，可避免多个工艺周期后镀膜(绝缘膜)沉积于石墨舟角、电极转接组件接触区导致电极接触不良问题。

2023-05-29

10

474KB