量子点发光器件、量子点层图案化的方法及显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111769200A(43)申请公布日2020.10.13(21)申请号202010657241.9(22)申请日2020.07.09(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人张振琦(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人金俊姬(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图11页(54)发明名称量子点发光器件、量子点层图案化的方法及显示装置(57)摘要本发明公开了一种量子点发光器件、量子点层图案化的方法及显示装置，在形成量子点层之前，首先在形成有氧化物层的基底上形成了一层光敏材料膜层，光敏材料水解后被修饰在基底上，光敏材料在预设波长的光照射后生成配位基团与量子点层结合，从而将保留区域位置处的量子点与光敏材料紧密结合在一起，未经预设波长的光照射区域内的光敏材料不与量子点层结合；最后，去除量子点层中未与光敏材料结合的量子点，完成量子点层的图案化；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。CN111769200ACN111769200A权利要求书1/3页1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的氧化物层，位于所述氧化物层背离所述基底一侧的量子点层，以及位于所述氧化物层与所述量子点层之间的连接层；所述连接层的硅醇与所述氧化物层的羟基结合，所述连接层的配位基团与所述量子点层结合；其中，所述连接层经由光敏材料水解和预设波长的光照射后形成；其中，所述光敏材料具有：水解生成所述硅醇的硅烷部分，在所述预设波长的光照射后生成所述配位基团的光敏部分，以及连接所述硅烷部分和所述光敏部分的连接部分。2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述光敏材料为其中，R1、R2、R3分别选择甲氧基、乙氧基、叔丁基、氯原子或乙酸根中的一种或多种，R1、R2、R3相同或不同，R4为烷基或芳香基。3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件为正置结构，所述氧化物层为空穴传输层；所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述空穴传输层之间的阳极，位于所述阳极和所述空穴传输层之间的空穴注入层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的电子传输层，位于所述电子传输层背离所述基底一侧的电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述基底一侧的阴极。4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件为正置结构，所述氧化物层为电子阻挡层；所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述电子阻挡层之间的阳极，位于所述阳极和所述电子阻挡层之间的空穴注入层，位于所述空穴注入层和所述电子阻挡层之间的空穴传输层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的空穴阻挡层，位于所述空穴阻挡层背离所述基底一侧的电子传输层，位于所述电子传输层背离所述基底一侧的电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述基底一侧的阴极。5.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件为倒置结构，所述氧化物层为电子传输层；所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述电子传输层之间的阴极，位于所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的空穴传输层，位于所述空穴传输层背离所述基底一侧的空穴注入层，以及位于所述空穴注入层背离所述基底一侧的阳极。6.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件为倒置结2CN111769200A权利要求书2/3页构，所述氧化物层为空穴阻挡层；所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述空穴阻挡层之间的阴极，位于所述阴极和所述空穴阻挡层之间的电子注入层，位于所述电子注入层和所述空穴阻挡层之间的电子传输层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的电子阻挡层，位于所述电子阻挡层背离所述基底一侧的空穴传输层，位于所述空穴传输层背离所述基底一侧的空穴注入层，以及位于所述空穴注入层背离所述基底一侧的阳极。7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的量子点发光器件。8.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括：在形成有氧化物层的基底上形成光敏材料膜层；其中，所述光敏材料具有：水解生成硅醇与所述氧化物层的羟基结合的硅烷部分，在预设波长的光照射后生成配位基团的光敏部分，以及连接所述硅烷部分和所述光敏部分的连接部分；在所述硅烷部分发生水解生成所述硅醇与所述氧化物层的羟基结合之后，采用所述预设波长的光照射所述光敏材料膜层的保留区域，所述保留区域的光敏部