量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113921742A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202010656714.3(22)申请日2020.07.09(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人梅文海张振琦吴志鸿(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人金俊姬(51)Int.Cl.H01L51/56(2006.01)H01L51/50(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图8页(54)发明名称量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置(57)摘要本发明公开了一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置，本发明首先在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；然后采用预设波长的光照射量子点保留区域；由于在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，没有配体的量子点的溶解性发生改变，从而使量子点发生聚沉，量子点无法再溶解于原溶剂中；最后，去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。CN113921742ACN113921742A权利要求书1/1页1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括：在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；采用预设波长的光照射量子点保留区域；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料或所述光敏材料在所述光照射后的生成物与所述量子点表面的配体发生反应，使所述配体从所述量子点表面脱落，以改变所述量子点的溶解性，使所述量子点发生聚沉；去除未被所述预设波长的光照射的膜层，以在所述量子点保留区域形成图案化的量子点层。2.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层，具体包括：将光敏材料和表面具有配体的量子点混合后形成混合溶液；在所述基底上涂布所述混合溶液形成所述膜层。3.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述采用预设波长的光照射量子点保留区域，具体包括：采用掩膜版遮挡所述膜层，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述透光区域对应所述膜层中接受光照射的量子点保留区域。4.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述去除未被所述预设波长的光照射的膜层，具体包括：采用溶剂清洗被所述预设波长的光照射后的膜层，其中，所述膜层中未被所述光照射的区域内量子点溶解于所述溶剂，所述量子点保留区域内聚沉的量子点不溶解于所述溶剂。5.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述形成图案化的量子点层之后，还包括：对所述量子点层进行干燥和退火处理。6.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述量子点表面的配体包括氧配位的配体、氮配位的配体、膦配位的配体或硫配位的配体。7.如权利要求6所述的图案化的方法，其特征在于，所述量子点表面的配体包括油酸、油胺、三辛基膦或十二硫醇。8.如权利要求2所述的图案化的方法，其特征在于，所述光敏材料包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。9.如权利要求8所述的图案化的方法，其特征在于，所述光生酸剂质量占所述混合溶液质量的1％-20％，所述烯烃类物质或所述炔烃类物质为所述混合溶液质量的1-20倍。10.一种发光器件的制作方法，包括制作阳极、量子点层和阴极，其特征在于，所述量子点层采用如权利要求1-9任一项所述的量子点层图案化的方法形成。11.一种量子点发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、量子点层和阴极，所述量子点层中量子点表面的配体质量与所述量子点层总质量的百分比小于10％。12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的量子点发光器件。2CN113921742A说明书1/8页量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置。背景技术[0002]随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点电致发光二极管(QuantumLightEmittingDiode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。[0003]量子点是零维的纳米半导体材料，量子点三个维度的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍，现有技术制造图案化的量子点