量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112300784A(43)申请公布日2021.02.02(21)申请号202011173939.X(22)申请日2020.10.28(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人王好伟(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人姚楠(51)Int.Cl.C09K11/02(2006.01)C09K11/88(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L51/50(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件(57)摘要本发明公开了一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件，在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，极性改变基团与光解基团的极性不同，在制作图案化的量子点膜层时，利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜，利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域被保留形成量子点膜层的图案。上述量子点膜层的图形化方法，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。CN112300784ACN112300784A权利要求书1/2页1.一种量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包括：量子点，以及与所述量子点连接的配体；其中，所述配体包括：与所述量子点结合的配位基团，与所述配位基团连接的光解基团，所述光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，所述极性改变基团与所述光解基团的极性不同。2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述光解基团为油溶性基团，所述极性改变基团为水溶性基团。3.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述光解基团包括以下至少之一：碳氧双键基团，碳碳双键基团和碳氮双键基团和双推电子基团。4.如权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述双推电子基团包括以下至少之一：二甲氧基和二仲氨基。5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述配体还包括：与所述光解基团连接的淬灭基团。6.如权利要求5所述的量子点材料，其特征在于，所述淬灭基团包括以下至少之一：CL、Br、I、NHCOCH3、NO2、COOH、氧化石墨烯、重金属螯合物、CSN、金纳颗粒、钴络合有机物、锰络合有机物、镍络合有机化合物。7.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述配位基团包括以下至少之一：氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦。8.一种量子点膜层的图案化方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1-7任一项所述的量子点材料和溶剂形成量子点溶液；在衬底基板上旋涂所述量子点溶液形成量子点薄膜；利用掩模板遮挡所述量子点薄膜后，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，使相应区域的量子点材料中配体的光解基团发生光解生成极性改变基团；采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，形成量子点膜层的图案。9.如权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的量子点材料和匹配的溶剂形成量子点溶液，具体包括：分别制备量子点和配体；采用所述量子点和所述溶剂配置第一溶液，采用所述配体和所述溶剂配置第二溶液；在所述第一溶液中注入所述第二溶液中反应设定时长后，经过清洗得到所述量子点溶液。10.如权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，具体包括：所述紫外光的波长为365nm或436nm，紫外光的光强为10mJ/cm2至200mJ/cm2。11.如权利要求8至10任一项所述的图案化方法，其特征在于，采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，具体包括：采用所述量子点溶液的溶剂清洗所述量子点薄膜。12.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：层叠设置的阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极；所述发光层包括多个单色的量子点膜层；各所述量2CN112300784A权利要求书2/2页子点膜层采用如权利要求8-11任一项所述的图案化方法制作。13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求12所述的量子点发光器件。3CN112300784A说明书1/8页量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件。背景技术[0002]半导体量子点是一种重要的荧光纳米材料。