清洗基材表面的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111986982A(43)申请公布日2020.11.24(21)申请号201910423762.5(22)申请日2019.05.21(71)申请人睿明科技股份有限公司地址中国台湾桃园市中坜区东园路30号(72)发明人郭肯华丁鸿泰连伟佐(74)专利代理机构北京申翔知识产权代理有限公司11214代理人黄超周春发(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图6页(54)发明名称清洗基材表面的方法(57)摘要本发明中清洗基材表面的方法主要提供奈米水以及一外力于该基材表面，将位于该基板表面的复数残留粒子移除；最后进行一干燥步骤去除残留于该基材表面的该奈米水，本发明主要利用奈米水来移除清洗经研磨或抛光处理后的一半导体晶圆、一玻璃或一光学镜片等基材，具有较佳的清洗效率，可有效地移除基材表面的残留粒子，也不会让基材上的表面处理或电子线路遭受损害。CN111986982ACN111986982A权利要求书1/1页1.一种清洗基材表面的方法，其特征在于，至少具有下列步骤：一移除步骤，提供一外力以及一奈米水于一基材表面，将位于该基板表面的复数残留粒子移除；以及一干燥步骤，去除残留于该基材表面的该奈米水。2.如权利要求1所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤之前包含一清洗步骤，该清洗步骤提供一奈米水，让该奈米水接触一基材的表面，使该奈米水包覆位于该基材表面的复数残留粒子。3.如权利要求2所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该清洗步骤包括一喷淋处理。4.如权利要求2所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该清洗步骤包括一浸泡处理。5.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该基材为半导体晶圆、玻璃基板或光学镜片。6.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该奈米水内的水分子大小介于1.5nm~10nm之间。7.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤中使用毛刷或研磨布作为外力进行清洗移除。8.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤与该干燥步骤之间包括一清洁步骤，提供一去离子水清洁该基材。9.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该复数残留粒子为蜡、胶或有机化合物。10.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该干燥步骤以氮气将该基材表面吹干。2CN111986982A说明书1/3页清洗基材表面的方法技术领域[0001]本发明有关一种具有较佳的清洗效率，可有效地移除基材表面的残留粒子的清洗方法。背景技术[0002]在超大型积体电路(VLSI)制程中，化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing；简称CMP)制程可提供晶圆表面全域性平坦化(globalplanarization)，尤其当半导体制程进入奈米领域后，化学机械研磨法更是一项不可或缺的制程技术。[0003]CMP透过研磨液中的研磨颗粒(包含如二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、二氧化锆等)与化学助剂(包含如pH缓冲剂、氧化剂等)相配合，以磨耗表面材质，藉此使得表面不平坦的较高处因受压相对较大而产生较高的移除速率，表面不平坦的较低处，则因受压相对较小而有较慢的移除速率，从而达成全域性平坦化的目的。当然，CMP研磨对象不同时，其所需使用的研磨材料亦有所差异。如在铜CMP制程中使用的铜研磨材料加入氢氧化铵及氢氟酸(HF)。另外，由于铜极易氧化及腐蚀，因此在铜CMP制程中，经常加入含有三氮唑(triazole)的溶液以保护被研磨晶圆的铜图案，并避免在研磨后等待下一制程时发生铜腐蚀，例如于研磨液中加入苯并三唑(benzotriazole，以下简称为BTA)作为铜腐蚀抑制剂以保护铜膜表面。[0004]而晶圆经过研磨之后，表面势必残留大量研磨粉体与金属离子。因此，在CMP制程后，紧接着必须进行多次表面清洗制程，以去除这些微粒、金属离子、有机物等。目前业界清除晶圆表面微粒、金属离子、有机物仍以湿式化学清洗法(wetchemicalcleaning)为大宗，其为以液状酸碱溶剂与去离子水的混合物作为化学清洗剂清洗晶圆表面，随后润湿再干燥的程序。在一些先前技术中，使用具有例如氢氧化四甲基氢铵(TMAH)的清洗液，以达到去除晶圆表面的污染物的效果。然而，氢氧化四甲基氢铵具毒性，在操作上存在危险性。且氢氧化四甲基氢铵属于酸碱清洗剂，会过度移除晶圆上的金属导线，而不仅造成晶圆表面的粗糙度增加，也造成金属导线的损坏。此外，上述清洗液会使得研磨垫的再利用性降低。再者，研磨液中尤其是氧化铈的研磨颗粒，于CMP制程后仍会残留于晶圆表面，且因CMP制程时的高温制