芯片表面的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108630522A(43)申请公布日2018.10.09(21)申请号201710173274.4(22)申请日2017.03.22(71)申请人东莞新科技术研究开发有限公司地址523087广东省东莞市南城区宏远工业区(72)发明人何小麟(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)B08B3/04(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/12(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称芯片表面的清洗方法(57)摘要本发明的芯片表面的清洗方法，依次包括：芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及用去离子水漂洗该芯片。该方法能高效去除芯片表面上的残留物，防止对芯片造成腐蚀，从而提高芯片的使用寿命。CN108630522ACN108630522A权利要求书1/1页1.一种芯片表面的清洗方法，依次包括以下步骤：芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及用去离子水漂洗该芯片。2.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：在用去离子水漂洗该芯片的步骤之后还包括：在所述去离子水中加入碳氢溶剂进行清洗。3.如权利要求2所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：加入碳氢溶剂进行清洗的步骤之后还包括：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥。4.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：在芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗的步骤之前还包括：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度。5.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：超声波的功率为20W～30W,频率为40KHz～50KHz。6.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述碱性溶液的温度为80～90度，在所述碱性溶液中的清洗时间为50～10分钟。7.如权利要求6所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述碱性溶液为浓度为2％～5％的氢氧化钠溶液。8.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：用去离子水漂洗该芯片的漂洗时间为20～30分钟。9.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述柠檬酸溶液的pH值为5～6。2CN108630522A说明书1/2页芯片表面的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体芯片清洗领域，尤其涉及一种芯片表面的清洗方法。背景技术[0002]随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路芯片制造工艺中所要求的芯片表面的洁净度越来越高，为了保证芯片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工艺。[0003]传统的清洗方式是利用去离子水冲洗芯片，这种方式中，去离子水以很高的流量冲击芯片，将芯片上的杂质和污染物冲走，从而达到清洗效果。但是这种清洗方法对芯片的冲击力过大，容易造成元件图案的损坏，并且这种清洗方式的去离子水的利用率低，导致资源浪费。另一种清洗方式是采用盐酸或氢氟酸进行浸泡清洗，然而，此种清洗方法的清洗效果不佳，表面残留的溶液会对芯片表面造成腐蚀。[0004]故此，亟需一种改进的芯片表面的清洗方法，以克服以上的缺陷。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种芯片表面的清洗方法，其能高效去除芯片表面上的残留物，防止对芯片造成腐蚀，从而提高芯片的使用寿命。[0006]为实现上述目的，本发明的芯片表面的清洗方法，依次包括以下步骤：[0007]与现有技术相比，本发明的芯片表面的清洗方法依次采用碱性溶液、异丙醇和水的混合溶液、柠檬酸溶液以及去离子水进行清洗，而且在清洗过程中采用超声波清洗技术，在超声波振荡的辅助作用下可有效去除残留物以及损伤层，清洗效果更好，表面洁净度大为提高，使用寿命得以延长。[0008]较佳地，在用去离子水漂洗该芯片的步骤之后还包括：在所述去离子水中加入碳氢溶剂进行清洗。[0009]较佳地，加入碳氢溶剂进行清洗的步骤之后还包括：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥。[0010]较佳地，在芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗的步骤之前还包括：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度。[0011]较佳地，超声波的功率为20W～30W,频率为40KHz～50KHz。[0012]较佳地，所述碱性溶液的温度为80～90度，在所述碱性溶液中的清洗时间为50～10分钟。[0013]较佳地，所述碱性溶液为浓度为2％～5％的氢氧化钠溶液。[0014]较佳地，用去离子水漂洗该芯片的