半导体制备方法、半导体结构和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112152085A(43)申请公布日2020.12.29(21)申请号202011327714.5(22)申请日2020.11.24(71)申请人度亘激光技术(苏州)有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室(72)发明人唐松杨国文赵卫东(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人钟扬飞(51)Int.Cl.H01S5/22(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称半导体制备方法、半导体结构和半导体器件(57)摘要本申请涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。本申请的半导体制造方法，包括：获取一晶体外延结构，其中晶体外延结构包括本体结构、设于本体结构表面的脊形成层及设于脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀脊形成层和欧姆接触层，令脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留导电脊波导上的欧姆接触层；对耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；在耗损脊波导上形成绝缘层。故本申请通过改善半导体制造工艺，来改善半导体器件的性能，且本申请通过在耗损脊波导的侧壁上进行粗糙化处理，加大了耗损脊波导的耗损。CN112152085ACN112152085A权利要求书1/2页1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括：获取一晶体外延结构，其中所述晶体外延结构包括本体结构、设于所述本体结构表面的脊形成层及设于所述脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层；对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；在所述耗损脊波导上形成绝缘层。2.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，所述对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理，包括：对所述耗损脊波导的侧壁进行离子轰击、干法腐蚀或湿法腐蚀；其中，所述耗损脊波导的宽度小于所述导电脊波导的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层，包括：在所述欧姆接触层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成光阻层；光刻所述光阻层形成第二掩模层；利用所述第二掩模层刻蚀所述第一掩模层形成第三掩模层；利用所述第二掩模层和所述第三掩模层刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层形成多个沟槽；去除所述第二掩模层和所述第三掩模层；其中，所述第一掩模层和所述光阻层的材质不同。4.根据权利要求3所述的半导体制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层，还包括：对所述沟槽的内表面进行平坦化处理。5.根据权利要求4所述的半导体制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层，还包括：对经过平坦化处理的所述沟槽的内表面进行钝化处理。6.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，在所述耗损脊波导上形成绝缘层，包括：在所述晶体外延结构上沉积初始的绝缘层；利用刻蚀去除位于所述导电脊波导处所述欧姆接触层上表面的所述初始的绝缘层，至少保留所述耗损脊波导处的所述初始的绝缘层，得到最终的所述绝缘层。7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体制备方法，其特征在于，所述在所述耗损脊波导上形成绝缘层之后，还包括：在所述绝缘层上表面以及位于所述导电脊波导处的所述欧姆接触层上表面形成导电金属层。2CN112152085A权利要求书2/2页8.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，所述本体结构包括由下至上依次叠层设置的衬底、下限制层、量子阱层和上限制层。9.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；下限制层，设置在所述衬底上；量子阱，设置在所述下限制层上；上限制层，设置在所述量子阱上；以及脊形成层，设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导；欧姆接触层，设置在所述脊形成层的上表面；其中，所述耗损脊波导的侧壁上设有多个凹坑。10.一种半导体器件，其特征在于，包括：多个如权利要求9中所述的半导体结构。3CN112152085A说明书1/7页半导体制备方法、半导体结构和半导体器件技术领域[0001]本申请涉及半导体器件的技术领域，具体而言，涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。背景技术[0002]半导体器件(semiconductordevice)是导电性介于良导电体与绝缘体