半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863417A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202210963996.0H01L27/02(2006.01)(22)申请日2022.08.11G01K13/00(2021.01)H10B10/10(2023.01)(30)优先权数据H10B12/10(2023.01)63/271,4252021.10.25USH10B20/10(2023.01)17/804,5652022.05.30US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人陈家忠刘思麟洪照俊庄惠中陈志良刘雅芸(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L29/73(2006.01)H01L27/102(2023.01)权利要求书2页说明书15页附图13页(54)发明名称半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法(57)摘要本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且第一阱位于其间，并且基极位于第一阱中并且位于发射极和集电极之间。BJT结构包括有源区，有源区具有形成发射极、集电极和基极的不同宽度。CN115863417ACN115863417A权利要求书1/2页1.一种半导体器件，包括：双极结型晶体管结构，包括：发射极，位于具有第一导电类型的第一阱中；集电极，位于各自的第二阱中，所述第二阱具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且所述第一阱位于其间；和基极，位于所述第一阱中并且位于所述发射极和所述集电极之间，其中，所述双极结型晶体管结构包括有源区，所述有源区具有形成所述发射极、所述集电极和所述基极的不同宽度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述发射极中的每个由第一单元形成，所述第一单元包括在具有第一宽度的所述有源区中的第一有源区，并且所述基极中的每个由第二单元形成，所述第二单元包括在具有第二宽度的所述有源区中的第二有源区，所述第一宽度大于所述第二宽度。3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：第一浅沟槽隔离结构，分离所述发射极中的两个；以及第二浅沟槽隔离结构，将所述发射极中的一个与所述基极中的一个分离。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一浅沟槽隔离结构的宽度大于所述第二浅沟槽隔离结构的宽度。5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：第三浅沟槽隔离结构，将所述集电极中的一个与所述基极中的一个分离。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三浅沟槽隔离结构的宽度与所述第二浅沟槽隔离结构的宽度基本上相同。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述双极结型晶体管结构形成在晶体管单元中，所述晶体管单元与多个第一标准单元和多个第二标准单元相邻并且邻接鳍边界区。8.一种半导体结构，包括：第一阱区，位于衬底上，所述第一阱区具有第一类型掺杂；第二阱区和第三阱区，位于所述衬底上的所述第一阱区的相对侧，所述第二和所述第三阱区具有不同于所述第一类型掺杂的第二类型掺杂；以及双极结型晶体管结构，具有形成在所述第一阱区中的第一晶体管有源区中的第一发射极、形成在所述第一阱区中的第二晶体管有源区中的第一基极以及形成在所述第二阱区中的第三晶体管有源区中的第一集电极；第二发射极形成在所述第一阱区中的第四晶体管有源区中，第二基极形成在所述第一阱区中的第五晶体管有源区中，并且第二集电极形成在所述第三阱区中的第六晶体管有源区中。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述双极结型晶体管结构由标准单元形成。10.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：通过以下方式形成包括具有不同宽度的有源区的多个第一标准单元的双极结晶体管结构：在具有第一类型掺杂的第一阱区中的第一晶体管有源区中形成第一发射极；在所述第一阱区中的第二晶体管有源区中形成第一基极；和2CN115863417A权利要求书2/2页在第二阱区中的第三晶体管有源区中形成第一集电极，所述第二阱区具有不同于所述第一类型掺杂的第二类型掺杂，其中，所述第二晶体管有源区位于所述第一晶体管有源区和所述第三晶体管有源区之间。3CN115863417A说明书1/15页半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。背景技术[0002]在操作期间，集成电路(IC)生成导致IC的温度升高和热量。随着IC的温度升高，IC的性能和效率