一种发射光器件的光路结构.pdf
依波****bc
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一种发射光器件的光路结构.pdf
本发明公开了一种发射光器件的光路结构,具体涉及光路技术领域,包括印制电路板,所述印制电路板的正面设置有基板,所述基板的正面设置有若干个激光器芯片,且激光器芯片的背面与基板的正面固定连接。该光路结构,通过激光器芯片和准直透镜的作用,能够形成准直光,并且形成第一传播方向,而且通过折射棱镜的作用,能够将第一传播方向的光路经过两次折射后,平行于第一传播方向且方向相同或相反的光路传播,形成第二传播方向,再利用光学多路复用器进行传导,进而使得第一传播方向与第二传播方向之间留有一定的空间,便于利用该空间放置更多的光学、
光发射器件.pdf
本发明涉及一种光发射器件,其包括:第一台面结构,其包括光发射部分;第二台面结构,其通过共用的半导体层与第一台面结构连接,并且第二台面结构包括光接收部分,光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光;检测器,其检测由光接收部分接收的光的量;以及氧化物限制层,其形成在第一台面结构和第二台面结构上,并且包括氧化区域和非氧化区域。
光器件耦合方法、系统及发射光器件和光模块调测方法.pdf
本发明涉及一种光器件耦合方法、系统及发射光器件和光模块调测方法,本发明的光器件耦合方法通过测试EML激光器EA吸收曲线的工作特性,通过数据处理计算其二阶微分拐点对应的电压工作点作为最佳Vbias电压值,在此工作电压下,将光功率耦合至目标规格内。通过本方法耦合出来的器件,其工作特性非常接近模块实际工作点,在模块端无需重新配置或仅需微调基于此电压点的参数。本方法的优势在于可提前识别出性能风险COC,避免后端应用形成不良品。同时可极大提升模块端调测效率,缩减产品工时。
硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法.pdf
本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法,其中硅花结构的制造方法包括:将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上;在预设工艺条件下,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,所述刻蚀气体含有碳和氟元素;使所述刻蚀气体电离形成等离子体,并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面,所述预设工艺时间不低于60min,以在所述硅晶圆的表面形成间距为1?100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构,工艺简单,并能通过控制工艺时间,控制硅花结构的覆盖率。
硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法.pdf
本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法,其中硅花结构的制造方法包括:将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上;在预设工艺条件下,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,所述刻蚀气体含有碳和氟元素;使所述刻蚀气体电离形成等离子体,并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面,所述预设工艺时间不低于60min,以在所述硅晶圆的表面形成间距为1?100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构,工艺简单,并能通过控制工艺时间,控制硅花结构的覆盖率。