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硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法.pdf

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本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法,其中硅花结构的制造方法包括:将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上;在预设工艺条件下,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,所述刻蚀气体含有碳和氟元素;使所述刻蚀气体电离形成等离子体,并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面,所述预设工艺时间不低于60min,以在所述硅晶圆的表面形成间距为1?100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构,工艺简单,并能通过控制工艺时间,控制硅花结构的覆盖率。