光发射器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107611771A(43)申请公布日2018.01.19(21)申请号201710433525.8(22)申请日2017.06.09(30)优先权数据2016-1373412016.07.12JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京(72)发明人城岸直辉樱井淳村上朱实近藤崇早川纯一朗(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人顾红霞龙涛峰(51)Int.Cl.H01S5/026(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图12页(54)发明名称光发射器件(57)摘要本发明涉及一种光发射器件，其包括：第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与第一台面结构连接，并且第二台面结构包括光接收部分，光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在第一台面结构和第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。CN107611771ACN107611771A权利要求书1/1页1.一种光发射器件，包括：第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与所述第一台面结构连接，并且所述第二台面结构包括光接收部分，所述光接收部分接收来自所述光发射部分通过所述半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由所述光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在所述第一台面结构和所述第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。2.根据权利要求1所述的光发射器件，其中，当从光发射表面侧观看时，所述非氧化区域在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间的连接部分处具有收缩形状。3.根据权利要求1或2所述的光发射器件，其中，在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间从所述光发射部分的上表面起到未到达所述光发射部分的有源层的深度形成有凹陷部分。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光发射器件，其中，在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间形成有阻挡电流的流动的电流阻挡区域。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光发射器件，其中，当从光发射表面侧观看时，所述第二台面结构的面积大于所述第一台面结构的面积。2CN107611771A说明书1/11页光发射器件技术领域[0001]本发明涉及光发射器件。背景技术[0002]JP-A-2000-106471披露了具有包括将有源层置于p型分布反馈反射器与n型分布反馈反射器之间的层结构的光发射区域的垂直腔面发射激光器，其中，光发射区域被高电阻区域包围，具有与光发射区域相同的层结构的监测光电二极管形成在高电阻区域周围，并且光发射区域的光强度分布的下部到达监测光电二极管的光吸收部分。发明内容[0003]本发明的目的在于提供这样的集成有监测光接收元件的光发射器件：与监测光接收元件布置在垂直腔面发射激光器周围的情况相比，本发明的光发射器件能够容易地设置氧化物限制层。[0004]根据本发明的第一方面，光发射器件包括：[0005]第一台面(mesa)结构，其包括光发射部分；[0006]第二台面结构，其通过共用的半导体层与所述第一台面结构连接，并且所述第二台面结构包括光接收部分，所述光接收部分接收来自所述光发射部分通过所述半导体层沿横向方向传播的光；[0007]检测器，其检测由所述光接收部分接收的光的量；以及[0008]氧化物限制层，其形成在所述第一台面结构和所述第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。[0009]根据本发明的第二方面，在第一方面所述的光发射器件中，当从光发射表面侧观看时，所述非氧化区域在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间的连接部分处具有收缩(狭窄)形状。[0010]根据本发明的第三方面，在第一方面或第二方面所述的光发射器件中，在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间从所述光发射部分的上表面起到未到达所述光发射部分的有源层的深度形成有凹陷部分。[0011]根据本发明的第四方面，在第一方面至第三方面中任一方面所述的光发射器件中，在所述第一台面结构与所述第二台面结构之间形成有阻挡电流的流动的电流阻挡区域。[0012]根据本发明的第五方面，在第一方面至第四方面中任一方面所述的光发射器件中，当从光发射表面侧观看时，所述第二台面结构的面积大于所述第一台面结构的面积。[0013]本发明的第一方面提供了这样的效果：与监测光接收元件布置在垂直腔面发射激光器周围的情况相比，在集成有监测光接收元件的光发射器件中可以容易地设置氧化物限制层。[0014]本发明的第二方面提供了这样的效果：与非氧化区域的宽度恒定不变的情况相3CN107611771A说明书2/11页比，容易将光限制在光发射部分和光接收部分中。[0015]本发明