LDMOS器件的形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112216613A(43)申请公布日2021.01.12(21)申请号202011247661.6(22)申请日2020.11.10(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人方明旭陈瑜陈华伦(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人黎伟(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图6页(54)发明名称LDMOS器件的形成方法(57)摘要本申请公开了一种LDMOS器件的形成方法，包括：在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除第一区域的第一氧化层，该外延层上形成有第一氧化层；在外延层和剩余的第一氧化层上形成第二氧化层；在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，第一区域和第二区域没有交叠区域；在第二氧化层上形成多晶硅层；去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层。本申请通过在形成第一离子掺杂区后，保留除第一离子掺杂区以外其它区域的第一氧化层，从而使形成得到的LDMOS器件的栅氧呈台阶型，增加了栅极和第二离子掺杂区的交叠区域上的栅氧的厚度，从而降低了LDMOS器件的栅感应漏电流，进而提高了器件的击穿电压。CN112216613ACN112216613A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除所述第一区域的第一氧化层，所述外延层上形成有第一氧化层；在所述外延层和剩余的第一氧化层上形成第二氧化层；在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，所述第一区域和所述第二区域没有交叠区域；在所述第二氧化层上形成多晶硅层；去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层，剩余的第一氧化层和第二氧化层形成所述LDMOS器件的栅氧，剩余的多晶硅层形成所述LDMOS器件的栅极，所述栅氧和所述栅极为台阶型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除所述第一区域的第一氧化层，包括：采用光刻工艺在所述第一氧化层上覆盖光阻，暴露出所述第一区域；以光阻为掩模，采用第一离子注入工艺将包含第一离子的杂质注入至所述第一区域，在所述外延层中形成第一离子掺杂区；去除所述第一区域的第一氧化层和光阻。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一区域的第一氧化层，包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区域的第一氧化层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，包括：采用光刻工艺在所述第二氧化层上覆盖光阻，暴露出所述第二区域；以光阻为掩模，采用第二离子注入工艺将包含第二离子的咋住注入至所述第二区域，在所述外延层中形成第二离子掺杂区；去除光阻。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层，包括：采用光刻工艺在所述多晶硅层上覆盖光阻，暴露出所述第三区域；以光阻为掩模进行刻蚀，直至所述第三区域的外延层暴露；去除光阻。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区之前，还包括：采用RTO工艺在所述外延层上形成所述第一氧化层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层之后，还包括：在所述第一离子掺杂区中形成第三离子掺杂区，在所述第二离子掺杂区中形成第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和所述第四离子掺杂区的掺杂浓度大于所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区。8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述外延层形成于衬底上，所述外2CN112216613A权利要求书2/2页延层中还行车有第五离子掺杂区，所述第五离子掺杂区形成于所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区下方。3CN112216613A说明书1/5页LDMOS器件的形成方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种应用于横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffusedmetal-oxidesemiconductor，LDMOS)器件的形成方法。背景技术[0002]LDMOS由于其易于互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)工艺兼容而被广泛应用于功率集成电路中。对于LDMOS器件，栅感应漏电流(gateinduceddrainleakagecurrent，GIDL)和击穿电压(breakvoltage，BV)的大小，以及抗热载流子注入效应(hotcarrier