LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112635330A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011509566.9(22)申请日2020.12.18(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人许昭昭(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人焦天雷(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备(57)摘要本发明公开了一种LDMOS器件制作方法，包括在衬底或外延层上形成浅沟槽隔离、栅介质层并定义多晶硅栅；形成高能量漂移区和RESUR层注入区，以及低能量漂移区；多晶硅栅进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区；形成侧墙，在体区形成第一重掺杂区和第二重掺杂区,在低能量漂移区形成第一重掺杂区，沉积金属硅化反应阻挡介质层；在多晶硅栅、第一重掺杂区和第二重掺杂区和表面形成金属硅化物；沉积绝缘介质刻蚀停止层，沉积层间介质层；形成多个接触孔和第一金属层，近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。本发明还公开了一种LDMOS器件和一种用于制作所述LDMOS器件的终端设备。CN112635330ACN112635330A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底或外延层(101)上形成浅沟槽隔离(102)，再形成栅介质层(103)，淀积形成多晶硅层，刻蚀同时定义多晶硅栅(104)；S2，涂布光刻胶(501)并打开LDMOS区域的光刻胶，进行漂移区和RESURF注入，形成横向上离子浓度分布不均匀的高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，以及低能量漂移区(106)；S3，对定义的多晶硅栅(104)进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区(107)；S4，在多晶硅栅(104)两侧形成侧墙(108)，在体区(107)进行高掺杂注入形成第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110),在低能量漂移区(106)形成第一重掺杂区(109)，沉积金属硅化反应阻挡介质层(111)并进行选择性光刻刻蚀，使其覆盖漂移区表面；S5，进行金属硅化反应，在多晶硅栅(104)、第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110)表面形成金属硅化物(112)；S6,沉积绝缘介质刻蚀停止层(113)，沉积层间介质层(114)并进行平坦化；S7,接触孔刻蚀并填充形成多个接触孔(115)，形成第一金属层(116)并刻蚀；通过第一金属层(116)将金属硅化反应阻挡层(111)上的多排接触孔(115)分成两部分，靠近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。2.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：衬底或外延层(101)为P型或N型。3.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：热氧化形成栅介质层(103)。4.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区注入能量范围为大于80KeV，RESURF注入能量范围为大于300KeV。5.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区靠近体区(107)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度低，靠近低能量漂移区(106)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度高。6.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：步骤S3中，保留光刻胶进行高能量离子注入形成体区(107)。7.一种由权利要求1‑5任意一项所述LDMOS器件制作方法制作的LDMOS器件，其特征在于，包括：浅沟槽隔离(102)，其形成在衬底或外延层(101)中；高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，其形成在浅沟槽隔离(102)之间的衬底或外延层(101)上部；低能量漂移区(106)，其形成在浅沟槽隔离(102)和体区(107)之间的衬底或外延层(101)上部，且与浅沟槽隔离(102)相邻；体区(107)，其形成在低能量漂移区(106)之间的衬底或外延层(101)上部；第一重掺杂区(109)，其形成在低能量漂移区(106)上部，以及体区(107)上部；第二重掺杂区(110)，其形成在体区(107)上部的第一重掺杂区(109)之间；多晶硅栅(104)，其形成在高能量漂移区和RESUR层注入区(105)、低能量漂移区(106)和体区(107)上方，多晶硅栅(104)下方形成有栅绝缘介质层(103)；金属硅化反应阻挡层(111)，其覆盖在低能量漂移区(106)上；2C