LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881786A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310056746.3(22)申请日2023.01.19(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址230012安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号(72)发明人陈晓妍张德培陈筱菲陈立业(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240专利代理师霍文娟(51)Int.Cl.H01L29/40(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法(57)摘要本申请提供了一种LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法，该LDMOS器件包括基底、多个阻挡层、多个间隔设置的竖直场板以及水平场板，其中，基底包括衬底以及衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个阻挡层位于基底的一侧，且多个阻挡层与多个栅极结构一一对应，另外，各阻挡层覆盖对应的栅极结构的部分侧面以及远离衬底的部分表面，且阻挡层覆盖衬底的靠近栅极结构的部分表面；竖直场板的第一端与对应的阻挡层接触，一个阻挡层对应多个竖直场板；水平场板位于竖直场板的远离阻挡层的一侧，且水平场板与多个竖直场板的第二端接触。解决了现有技术中的LDMOS的击穿电压较低的问题，保证了LDMOS器件的性能较好。CN115881786ACN115881786A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：基底，包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个阻挡层，位于所述基底的一侧，多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以及远离所述衬底的部分表面，且所述阻挡层覆盖所述衬底的靠近所述栅极结构的部分表面；多个间隔设置的竖直场板，所述竖直场板的第一端与对应的所述阻挡层接触，一个所述阻挡层对应多个所述竖直场板；水平场板，位于所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧，所述水平场板与多个所述竖直场板的第二端接触。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述阻挡层包括：第一水平部，所述第一水平部覆盖所述栅极结构的远离所述衬底的部分表面；倾斜部，所述倾斜部的远离所述衬底的端部与所述第一水平部的端部连接，所述倾斜部覆盖所述栅极结构的一个侧面；第二水平部，所述第二水平部的端部与所述倾斜部的靠近所述衬底的端部连接，所述第二水平部覆盖部分所述衬底的表面，多个所述竖直场板的第一端与所述第二水平部接触。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：介质层，覆盖所述衬底、所述栅极结构以及所述阻挡层的靠近所述水平场板的表面，且所述介质层的远离所述基底的表面为平面，所述水平场板位于所述介质层的远离所述基底的表面上，多个所述竖直场板位于所述介质层中。4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述基底还包括：源区，位于多个所述栅极结构之间的所述衬底中；多个漏区，一个所述漏区位于多个所述栅极结构一侧的所述衬底中，一个所述漏区位于多个所述栅极结构另一侧的所述衬底中。5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：源极，贯穿所述介质层，所述源极的一端与所述源区接触，所述源极的另一端与所述水平场板接触；多个漏极，多个所述漏极贯穿所述介质层，且多个所述漏极的靠近所述衬底的一端与多个所述漏区一一对应接触。6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述基底还包括：两个隔离层，分别位于多个所述竖直场板的两侧的所述衬底中。7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括：栅氧层，位于所述衬底的靠近所述水平场板的部分表面上；栅极，位于所述栅氧层的远离所述衬底的表面上，所述阻挡层覆盖对应的所述栅极的远离所述衬底的部分表面；侧墙结构，覆盖所述栅氧层以及所述栅极的侧壁，且所述阻挡层覆盖部分所述侧墙结构。8.根据权利要求1至7中任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，所述水平场板的材料包括Al以及Cu中至少一种，所述竖直场板的材料包括钨。2CN115881786A权利要求书2/2页9.根据权利要求1至7中任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，所述阻挡层包括SAB层。10.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；在所述基底的裸露表面上形成多个阻挡层，多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以