LDMOS器件及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113871456A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202111177488.1(22)申请日2021.10.09(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人段文婷钱文生(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人唐嘉(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称LDMOS器件及其形成方法(57)摘要一种LDMOS器件及其形成方法，其中方法包括：在所述深阱区表面形成场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30％，所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20％至80％，形成所述场氧层后，在所述第一掺杂区内形成体区，所述体区具有第一导电类型；在部分所述场氧层表面形成栅极，所述栅极还延伸至部分所述体区表面，通过选取不同的所述第一距离与所述第二距离可以实现不同的目标击穿电压性能。CN113871456ACN113871456A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；位于所述衬底内的深阱区，所述深阱区包括沿第一方向上排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的第一扩散区、位于所述第二掺杂区和第三掺杂区之间的第二扩散区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，所述第一扩散区两侧分别于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接触，所述第二扩散区两侧分别与所述第二掺杂区和第三掺杂区相接触，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，沿所述第一方向上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间具有第一距离，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间具有第二距离；位于所述深阱区表面的场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30％，所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20％至80％；位于所述第一掺杂区内的体区，所述体区具有第一导电类型；位于部分所述场氧层表面的栅极，所述栅极还延伸至部分所述体区表面；位于所述衬底内的源极和漏极，所述源极和所述漏极具有第二导电类型，所述源极位于所述栅极一侧的所述体区内，所述漏极位于所述场氧层一侧的所述第三掺杂区内；位于所述体区内的沟道引出区，所述沟道引出区具有第一导电类型，且所述沟道引出区相对于所述源极远离所述场氧层。2.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一导电类型；形成所述衬底内的深阱区，所述深阱区包括沿第一方向上排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的第一扩散区、位于所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间的第二扩散区，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区之间相互分立，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，所述第一扩散区两侧分别于所述第一掺杂区和第二掺杂区相接触，所述第二扩散区两侧分别与所述第二掺杂区和第三掺杂区相接触，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，沿所述第一方向上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间具有第一距离，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间具有第二距离；在所述深阱区表面形成场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30％，所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20％至80％；形成所述场氧层后，在所述第一掺杂区内形成体区，所述体区具有第一导电类型；在部分所述场氧层表面形成栅极，所述栅极还延伸至部分所述体区表面；形成所述栅极后，形成所述衬底内的源极和漏极，所述源极和所述漏极具有第二导电类型，所述源极位于所述栅极一侧的所述体区内，所述漏极位于所述场氧层一侧的所述第三掺杂区内。2CN113871456A权利要求书2/2页3.如权利要求2所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于