量子点配体、量子点以及量子点膜、QLED发光器件及其制备方法.pdf
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量子点配体、量子点以及量子点膜、QLED发光器件及其制备方法.pdf
本申请涉及量子点发光二极管领域,公开了一种量子点配体、量子点以及量子点膜、QLED发光器件及其制备方法。本申请所述量子点配体包括与量子点键合的配位基团、连接基团和形成笼状结构的单体;所述配位基团、连接基团和单体依次通过化学键连接。本申请在量子点键合的配体上引入形成笼状结构的单体,并在形成量子点膜时加入单体需要的引发剂/桥联剂,诱导配体形成笼状结构,将量子点锁定在笼状结构的中空结构中,在使用强效显影剂消除量子点残留的同时,能够保护量子点不受破坏或者清除,避免QLED发光器件的失效。
量子点粉末及其制备方法、发光器件、量子点组合物、量子点膜及其制备方法.pdf
一种量子点粉末及其制备方法、发光器件、量子点组合物、量子点膜及其制备方法,属于量子点领域。发明示例中的量子点粉末的制备方法包括:S1,将量子点分散于第一胶水组合物中,得到量子点胶水分散液,将所述量子点胶水分散液固化,得到量子点复合材料;S2,将所述量子点复合材料粉碎,得到第一量子点粉末;S3,以给定光强的蓝光照射所述第一量子点粉末给定时间,制得第二量子点粉末。采用前述方法制备的第二量子点粉末可以使受损的量子点得到一定程度上的修复,从而使其发光效率得以部分或全部地恢复至受损前的状态。
量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件.pdf
本发明公开了一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件,在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团,极性改变基团与光解基团的极性不同,在制作图案化的量子点膜层时,利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜,利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域,使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团,从而改变相应区域内的量子点材料溶解性,随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜,未被照射区域内的量子点材料被溶解去除,而相应区域被保留形成量子点膜层的图案。
量子点墨水及其制备方法和量子点发光器件.pdf
本申请涉及一种量子点墨水及其制备方法和量子点发光器件。其中,按重量百分比计,所述量子点墨水中包括0.1%~30%的量子点和70%~99.9%的溶剂;所述溶剂包含至少一种长碳链酯类溶剂和至少一种长碳链脂肪醇类溶剂,其中,所述长碳链酯类溶剂占所述溶剂总重量的50%~90%,所述长碳链酯类溶剂为具有8~30个碳原子的直链酯类溶剂,所述长碳链脂肪醇类溶剂为主碳链具有6~20个碳原子的脂肪醇溶剂。该量子点墨水环保低毒、适用于喷墨打印,采用该量子点墨水在喷墨打印工艺过程中能够稳定出墨,且可以减少打印头在非工作状态下由
量子点发光器件及其制备方法、量子点显示面板的制备方法.pdf
本公开的实施例提供一种量子点发光器件及其制备方法以及量子点显示面板的制备方法,该量子点发光器件的制备方法,包括:提供衬底基板(101);在衬底基板(101)上形成第一电极(102);在第一电极(102)上形成第一功能层(103);在第一功能层(103)上依次形成第一牺牲层(104)和第一光刻胶层(105);对第一光刻胶层(105)进行构图工艺形成第一光刻胶图案(1051);以第一光刻胶图案(1051)为掩膜对第一牺牲层(104)进行构图工艺以形成第一牺牲层图案(1041),其中,第一功能层(103)包括第