一种芯片晶圆测试数据分析方法及系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112397409A(43)申请公布日2021.02.23(21)申请号202011331799.4(22)申请日2020.11.24(71)申请人安测半导体技术（江苏）有限公司地址225000江苏省扬州市高新技术产业开发区南区创富工厂1号楼1-5层(72)发明人苏广峰姜伟伟(74)专利代理机构北京文苑专利代理有限公司11516代理人周会(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)G06F16/9035(2019.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种芯片晶圆测试数据分析方法及系统(57)摘要本发明提供了一种芯片晶圆测试数据分析方法及系统，该方法包括：测试机对晶圆测试数据进行解析；分析系统分析晶圆测试数据中所有初步良品芯片测试项的测试数据，计算出平均值和方差值；计算每个测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)；根据晶圆上初步良品芯片的每个测试项电性测试数据实际值DC_X(n)、该测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)，判定初步良品芯片是否为不良品。本申请针对车规/军工/航天等高安全、高可靠性要求之芯片，提出了一种晶圆级的全新的基于测试数据分析的筛选方式，能够将不符合正态分布之芯片全部筛出并剔除，留下的是性能更优，参数更佳之良品芯片。CN112397409ACN112397409A权利要求书1/2页1.一种芯片晶圆测试数据分析方法，其特征在于，包括：第m片晶圆测试完毕，测试机对第m片晶圆测试数据进行解析并插入数据库，m为正整数；分析系统分析所述第m片晶圆测试数据中所有初步良品芯片测试项的测试数据，计算出每一测试项的平均值DC_Mean(n)和方差值DC_Sigma(n)，n为正整数，表示第n项测试项；分析系统根据如下计算式，计算每个测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)；DC_LCL(n)＝DC_Mean(n)-3*DC_Sigma(n)；DC_UCL(n)＝DC_Mean(n)+3*DC_Sigma(n)；分析系统根据第m片晶圆上初步良品芯片的每个测试项电性测试数据实际值DC_X(n)、该测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)，判定初步良品芯片是否为不良品。2.根据权利要求1所述芯片晶圆测试数据分析方法，其特征在于，所述分析系统根据第m片晶圆上初步良品芯片的每个测试项电性测试数据实际值DC_X(n)、该测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)，判定初步良品芯片是否为不良品，包括：分析系统比较第m片晶圆上每个初步良品芯片的每个测试项电性测试数据实际值DC_X(n)与该测试项的下控制线DC_LCL(n)、上控制线DC_UCL(n)；若实际值DC_X(n)大于上控制线DC_UCL(n)，或者实际值DC_X(n)小于下控制线DC_LCL(n)，判定初步良品芯片为不良品；若实际值DC_X(n)小于上控制线DC_UCL(n)，而且实际值DC_X(n)大于下控制线DC_LCL(n)，判定初步良品芯片为良品。3.根据权利要求1或2所述芯片晶圆测试数据分析方法，其特征在于，还包括：当分析系统判定第一初步良品芯片为不良品，标记系统修改晶圆测试图形中，第一初步良品芯片的类别。4.根据权利要求3所述芯片晶圆测试数据分析方法，其特征在于，所述当分析系统判定第一初步良品芯片为不良品，标记系统修改晶圆测试图形中，第一初步良品芯片的类别，包括：当分析系统判定第一初步良品芯片为不良品，标记系统修改晶圆测试图形中，第一初步良品芯片的类别，将第一初步良品芯片由原来PASSBIN改成特定FAILBIN，用99表示，颜色为粉色。5.根据权利要求1或2所述芯片晶圆测试数据分析方法，其特征在于，所述测试数据支持MAP，STDF格式。6.一种芯片晶圆测试数据分析系统，其特征在于，包括：测试机，用于：第m片晶圆测试完毕，对第m片晶圆测试数据进行解析并插入数据库，m为正整数；分析系统，用于分析所述第m片晶圆测试数据中所有初步良品芯片测试项的测试数据，计算出每一测试项的平均值DC_Mean(n)和方差值DC_Sigma(n)，n为正整数，表示第n项测试项；根据如下计算式，计算每个测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n)；DC_LCL(n)＝DC_Mean(n)-3*DC_Sigma(n)；2CN112397409A权利要求书2/2页DC_UCL(n)＝DC_Mean(n)+3*DC_Sigma(n)；根据第m片晶圆上初步良品芯片的每个测试项电性测试数据实际值DC_X(n)、该测试项的下控制线DC_LCL(n)和上控制线DC_UCL(n