一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114496888A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202111634433.9(22)申请日2021.12.29(71)申请人全讯射频科技(无锡)有限公司地址214000江苏省无锡市新吴区锡士路17号(72)发明人张健(74)专利代理机构无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227专利代理师彭学飞顾吉云(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/78(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法(57)摘要本发明提供了一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其晶圆的电极侧的保护膜分布均匀，有效保护了电极，同时其与晶圆的粘贴后的贴合的密封性好，有效避免了刻蚀气体或其他异物进入，保证了切割效果。其包括S1、滤波器芯片晶圆使用电镀的方法在正面的相应区域内电镀电极的铜柱，并在铜柱表面电镀电极的锡层，经过氮气回流焊接炉对锡层回流焊处理；S2、滤波器芯片晶圆的正面采用覆膜工艺粘贴复合高分子薄膜，在真空对合腔中进行对位覆膜，其中复合高分子薄膜包括包裹滤波器芯片晶圆的正面电极的第一基材层，第一基材层外部设有相匹配的、起支撑作用的第二基材层，第一基材层的内部设有一圈与滤波器芯片晶圆的边缘相匹配的环状粘贴层。CN114496888ACN114496888A权利要求书1/2页1.一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：其包括以下步骤：S1、滤波器芯片晶圆使用电镀的方法在正面的相应区域内电镀电极的铜柱，并在铜柱表面电镀电极的锡层，经过氮气回流焊接炉对锡层回流焊处理；S2、所述滤波器芯片晶圆的正面采用覆膜工艺粘贴复合高分子薄膜，在真空对合腔中进行对位覆膜，所述真空对合腔的气压为0pa~20pa；其中所述复合高分子薄膜包括包裹所述滤波器芯片晶圆的正面电极的第一基材层，所述第一基材层外部设有相匹配的、起支撑作用的第二基材层，所述第一基材层的内部设有一圈与所述滤波器芯片晶圆的边缘相匹配的环状粘贴层；S3、将所述滤波器器芯片晶圆置于氮气高压烘箱中进行烘烤热压；S4、将所述滤波器器芯片晶圆置于研磨机中对其背面进行研磨减薄；S5、将所述滤波器器芯片晶圆的背面采用旋涂工艺涂敷一层水性保护液；S6、对所述滤波器器芯片晶圆的背面根据切割道位置进行激光开槽，激光开槽的槽宽为1µm~3µm，同时深入所述滤波器器芯片晶圆的背面的深度为1到5um；S7、对所述滤波器芯片晶圆的背面开槽处采用等离子切割设备进行等离子切割，同时该切割仅切割所述滤波器芯片晶圆而不贯穿其正面的复合高分子薄膜；S8、对所述滤波器芯片晶圆的背面使用清洗剂进行清洗处理，去除其上的水性保护液；S9、所述滤波器芯片晶圆的背面粘贴UV膜，再对其正面的复合高分子薄膜剥离处理。2.根据权利要求1所述的一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：S1中，所述滤波器芯片晶圆的基板为硅材质，其上电镀的铜柱直径为30µm~90µm，高度为20µm~80µm；所述铜柱表面的锡层厚度为15µm~35µm，所述氮气回流焊接炉为温度分段式回流焊接炉，所述温度分段式回流焊接炉的最高炉温为250℃、且200℃以上炉温的长度占总炉长度的1/10~1/5，所述温度分段式回流焊接炉相邻炉温间温度差不高于30℃；所述滤波器芯片晶圆在所述温度分段式回流焊接炉中匀速前进，且处于所述温度分段式回流焊接炉中总时长为5min~10min。3.根据权利要求1所述的一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：S2中，所述高分子薄膜的第一基材层为聚烯烃或者据氨基甲酸酯的一种，且所述第一基材层的厚度为60µm~120µm；所述第二基材层为聚甲基丙烯酸酯薄膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的一种，且所述第二基材层的厚度为90µm~120µm；所述环状粘贴层为聚甲基丙烯酸类或者硅胶类的一种，且所述环状粘贴层的宽度为5mm~15mm，厚度为5µm~10µm。4.根据权利要求1所述的一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：S3中，所述氮气高压烘箱的目标压力为1.5atm~3.5atm，所述氮气高压烘箱的烘烤温度采用程序升温，且初始温度为20℃，升温速率为3~10℃/min，最高温度为130℃，并保持1~3分钟，后降至室温；所述氮气高压烘箱的初始压力为常压，在温度升温开始时均匀升压，至达到最高温度时同时达到目标压力值。5.根据权利要求1所述的一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：S4中，经过研磨后的所述滤波器芯片晶圆的厚度为120µm~150µm。6.根据权利要求1所述的一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其特征在于：S5中，所述水性保护液为水溶性聚醚胶，所述水性保护液通过旋涂工艺