芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108928802A(43)申请公布日2018.12.04(21)申请号201710392149.2(22)申请日2017.05.27(71)申请人北京万应科技有限公司地址100195北京市海淀区杏石口路65号益园文创基地C区11号楼(72)发明人黄玲玲(74)专利代理机构北京邦信阳专利商标代理有限公司11012代理人黄姝张伟杰(51)Int.Cl.B81B7/02(2006.01)B81C1/00(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图7页(54)发明名称芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统(57)摘要本发明公开了一种芯片晶圆封装方法，包括：将芯片的正面与承载板进行临时键合；将芯片埋置在有机树脂层内；将承载板与圆片拆键合，并裸露出芯片上的管脚；制作一层绝缘层；在管脚对应的位置去除绝缘层形成盲孔；在有机树脂层的底部制作通过盲孔与管脚电连接的第一重布线层，制作第一钝化层；在有机树脂层的顶部制作穿透有机树脂层并与管脚连通的塑封料通孔；在塑封料通孔内填镀与第一重布线层电连接的通孔金属，制作第二重布线层，制作第二钝化层；制作与管脚电连接的凸块，得到扇出封装完成的芯片晶圆。本发明将MEMS芯片通过扇出型封装形式，使其尺寸能够和ASIC芯片晶圆实现晶圆级封装。CN108928802ACN108928802A权利要求书1/3页1.一种芯片晶圆封装方法，其特征在于，包括：将芯片的正面与承载板进行临时键合；将所述芯片埋置在有机树脂层内，得到埋置有芯片的圆片；将所述承载板与所述圆片拆键合，并裸露出所述芯片上的管脚；在所述芯片的正面制作一层绝缘层；在所述管脚对应的位置去除所述绝缘层形成盲孔；在所述有机树脂层的底部制作通过所述盲孔与所述管脚电连接的第一重布线层，制作覆盖所述第一重布线层的第一钝化层；在所述有机树脂层的顶部制作穿透所述有机树脂层并与所述管脚连通的塑封料通孔；在所述塑封料通孔内填镀与所述第一重布线层电连接的通孔金属，制作通过所述塑封料通孔内的通孔金属与所述第一重布线层电连接的第二重布线层，制作覆盖所述第二重布线层的第二钝化层；在所述第一钝化层制作与所述管脚电连接的凸块，得到扇出封装完成的芯片晶圆。2.如权利要求1所述的芯片晶圆封装方法，其特征在于，所述凸块设置在所述有机树脂层的投影范围内。3.如权利要求1所述的芯片晶圆封装方法，其特征在于，所述芯片为专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。4.如权利要求3所述的芯片晶圆封装方法，其特征在于，所述芯片为微机电系统芯片，所述将所述芯片埋置在有机树脂层内，得到埋置有芯片的圆片，具体包括：将所述微机电系统芯片埋置在有机树脂层内，并露出所述微机电系统芯片的功能区域，得到埋置有微机电系统芯片的圆片。5.一种微机电系统封装方法，其特征在于，包括：使用如权利要求1-2任一项所述的芯片晶圆封装方法对专用集成电路芯片进行扇出封装得到专用集成电路芯片晶圆，对微机电系统芯片进行扇入封装得到微机电系统芯片晶圆；对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行微机电系统封装，得到包含有所述专用集成电路芯片晶圆以及所述微机电系统芯片晶圆的微机电系统级封装结构。6.如权利要求5所述的微机电系统封装方法，其特征在于，所述对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行微机电系统封装，得到包含有所述专用集成电路芯片晶圆以及所述微机电系统芯片晶圆的微机电系统级封装结构，具体包括：将完成扇出封装的专用集成电路芯片晶圆的正面和完成扇入封装的微机电系统芯片晶圆的正面通过晶圆级键合工艺完成组装互连；在所述专用集成电路芯片晶圆的背面制作第一焊球阵列球，并对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行划切，得到形成包含有微机电系统芯片晶圆以及专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构。7.一种微机电系统封装方法，其特征在于，包括：使用如权利要求1～4任一所述的芯片晶圆封装方法对微机电系统芯片进行扇出封装得到微机电系统芯片晶圆，对专用集成电路芯片进行扇入封装得到专用集成电路芯片晶2CN108928802A权利要求书2/3页圆；对所述微机电系统芯片晶圆和所述专用集成电路芯片晶圆进行微机电系统封装，得到包含有所述微机电系统芯片晶圆以及所述专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构。8.如权利要求7所述的微机电系统封装方法，其特征在于，所述对所述微机电系统芯片晶圆和所述专用集成电路芯片晶圆进行微机电系统封装，得到包含有所述微机电系统芯片晶圆以及所述专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构，具体包括：将完成扇出封装的微机电系统芯片晶圆的正面和完成扇入封装的专用集成电路芯片晶圆的正面通过晶圆级键合工艺完成组装互连；在所述微机电系统芯片晶