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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112663064A(43)申请公布日2021.04.16(21)申请号202011490580.9(22)申请日2020.12.16(71)申请人江苏艾森半导体材料股份有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号(72)发明人刘伟杜冰刘文永张茂邱柱方磊赵建龙张兵向文胜朱坤陆兰(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)H01L21/3213(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称一种铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用,所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢8‑20份、氟化物0.01‑1份、金属缓蚀剂0.01‑1份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、金属络合剂0.1‑10份、胺类化合物1‑10份和pH调节剂0.1‑10份。本发明提供的铜钼金属蚀刻液对IGZO底材无伤,蚀刻角度适合工艺要求,无钼拖尾和钼残留。CN112663064ACN112663064A权利要求书1/2页1.一种铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢8‑20份、氟化物0.01‑1份、金属缓蚀剂0.01‑1份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、金属络合剂0.1‑10份、胺类化合物1‑10份和pH调节剂0.1‑10份。2.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢12‑20份、氟化物0.01‑0.5份、金属缓蚀剂0.3‑0.6份、过氧化氢稳定剂3‑7份、金属络合剂2‑6份、胺类化合物3‑7份和pH调节剂0.5‑5份;优选地,所述铜钼金属蚀刻液还包括水。3.根据权利要求1或2所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述氟化物包括氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾、氟化钠、氟化钾、氟化铵、氟硼酸、三氟乙酸或三氟甲磺酸中任意一种或至少两种组合,优选氟化氢铵。4.根据权利要求1‑3中任一项所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述金属缓蚀剂包括四氮唑类化合物、三氮唑类化合物、吡唑类化合物、咪唑类化合物或噻唑类化合物中任意一种或至少两种的组合,优选四氮唑类化合物和三氮唑类化合物的组合;优选地,所述四氮唑类化合物包括5‑甲基四氮唑、5‑氨基四氮唑、5‑苯基四氮唑、1‑甲基‑5‑氨基四氮唑、1‑甲基‑巯基‑1,2,3,4‑四氮唑、3‑氟‑4‑四氮唑基苯酚或5‑巯基四氮唑‑1‑基‑乙酸中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述三氮唑类化合物包括甲基三氮唑、苯肼三氮唑、3‑氨基‑1,2,4‑三唑‑5‑硫醇、3‑氨基‑1,2,3‑三氮唑或4‑氨基‑1,2,3‑三氮唑中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述吡唑类化合物包括甲基吡唑、氨基吡唑、2‑(1H‑吡唑‑1‑基)乙酸、3‑氨基‑4‑羟基甲基吡唑或1‑苯基‑3‑氨基吡唑或吡唑酸中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述咪唑类化合物包括甲基咪唑、氨基咪唑、苯并咪唑或咪唑硫醇中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述噻唑类化合物包括2‑硫基苯并噻唑、2‑氨基苯并噻唑或噻唑硫醇中任意一种或至少两种的组合。5.根据权利要求1‑4中任一项所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述过氧化氢稳定剂包括聚乙二醇、乙二醇、脂肪醇聚氧乙烯醚、二乙二醇、三乙二醇或乙二醇单丁醚中任意一种或至少两种的组合。6.根据权利要求1‑5中任一项所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述金属络合剂包括柠檬酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、甘氨酸、乙二胺四乙酸、亚氨基二乙酸、谷氨酸、聚天冬氨酸、苯丙氨酸、丙二酸、牛磺酸、扁桃酸、乳酸、乙醇酸、二甘醇酸或丁二酸中任意一种或至少两种的组合,优选丙二酸和柠檬酸的组合。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的铜钼金属蚀刻液,其特征在于,所述胺类化合物包括乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺、丙二胺、戊二胺、N‑甲基二乙醇胺、N‑甲基乙醇胺或丙醇胺中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述pH调节剂包括磷酸、硝酸、硫酸、甲基磺酸、氨基磺酸、甲基苯磺酸、氨基苯磺酸、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、焦磷酸钠、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵或硫酸氢铵中任意一种或至少两种的组合;优选地,所述铜钼金属蚀刻液的pH为3‑3.7。8.一种根据权利要求1‑7中任一项所述的铜钼金属蚀刻液的制备方法,其特征在于,所2CN112663064A权利要求书2/2页述制备方法包括以下步骤:将过氧化氢、氟化物、金属缓蚀剂、过氧化氢稳定剂、金属络合剂、胺类化合物和pH调节剂混合,得到所述铜钼金属蚀刻液。9.根据权利要求8所述的铜钼金属蚀刻液的制备方法,其特征