显示面板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114203726A(43)申请公布日2022.03.18(21)申请号202111367137.7(22)申请日2021.11.18(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人丁玎方亮(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人杨瑞(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/84(2006.01)G09F9/30(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称显示面板及其制备方法(57)摘要本发明提供一种显示面板及其制备方法，本发明的显示面板内的第一有源层包括：第一源极掺杂区、第一沟道区、第一漏极掺杂区、位于第一源极掺杂区和第一沟道区之间的第一扩散区、以及位于第一漏极掺杂区和第一沟道区之间的第二扩散区；第一栅极绝缘层对应第一源极掺杂区、第一漏极掺杂区、第一扩散区、第二扩散区的厚度，均小于其对应第一沟道区的厚度；第一栅极绝缘层对应第一扩散区、第二扩散区的厚度均与其对应第一源极掺杂区、第一漏极掺杂区的厚度不同，第一栅极绝缘层有效对第一沟道区起到侧向遮挡作用，预留导电离子延沟道区横向扩散的距离，可以有效防止沟道区缩短，保证有效沟道区长度，防止阈值电压漂移。CN114203726ACN114203726A权利要求书1/2页1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；驱动电路层，设置在所述衬底的一侧，所述驱动电路层包括：第一有源层、设置在所述第一有源层远离所述衬底一侧的第一栅极绝缘层、设置在所述第一栅极绝缘层远离所述衬底一侧的第一栅极、设置在所述第一栅极远离所述衬底一侧的第一层间绝缘层、以及设置在所述第一层间绝缘层远离所述衬底一侧的源漏极层，所述源漏极层包括第一源极和第一漏极；其中，所述第一有源层包括：第一源极掺杂区、第一沟道区、第一漏极掺杂区、位于所述第一源极掺杂区和所述第一沟道区之间的第一扩散区、以及位于所述第一漏极掺杂区和所述第一沟道区之间的第二扩散区，所述第一源极与所述第一源极掺杂区电连接，所述第一漏极与所述第一漏极掺杂区电连接；所述第一栅极绝缘层对应所述第一源极掺杂区、所述第一漏极掺杂区、所述第一扩散区、所述第二扩散区的厚度，均小于其对应所述第一沟道区的厚度；所述第一栅极绝缘层对应所述第一扩散区、所述第二扩散区的厚度均与其对应所述第一源极掺杂区、所述第一漏极掺杂区的厚度不同。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层对应所述第一扩散区、所述第二扩散区的厚度，均高于与其对应所述第一源极掺杂区、所述第一漏极掺杂区的厚度。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层掺杂有导电粒子；所述导电粒子在所述第一源极掺杂区、所述第一漏极掺杂区的掺杂浓度，均大于其在所述第一扩散区、所述第二扩散区的掺杂浓度；所述导电粒子在所述第一扩散区、所述第二扩散区的掺杂浓度，均大于其在所述第一沟道区的掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层对应所述第一源极掺杂区和所述第一漏极掺杂区形成有第一台阶，所述第一栅极绝缘层对应所述第一扩散区和所述第二扩散区形成有第二台阶，所述第二台阶靠近所述第一沟道区一侧与所述第一栅极的侧面齐平。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括位于所述衬底与所述第一有源层之间的第二栅极。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还至少包括设置在所述衬底上方的第二有源层、第三栅极、第四栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述第四栅极同层设置，所述第一源极、第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层为金属氧化物半导体层，所述第二有源层为低温多晶硅半导体层。8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还设置有遮光电极层，所述遮光电极层覆盖所述第一有源层，所述遮光电极层与所述第二源极电性连接。9.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导电粒子为硼离子、氮离子和磷离子中的一种或一种以上的材料。10.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括衬底和位于所述衬底的一侧的驱动2CN114203726A权利要求书2/2页电路层，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一衬底、在所述衬底之上至少形成第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层以及光阻层；所述第一有源层包括第一源极掺杂区、第一沟道区、第一漏极掺杂区、位于所述第一源极掺杂区和所述第一沟道区之间的第一扩散区、以及位于所述第一漏极掺杂区和所述第一沟道区之间的第二