一种晶圆研磨方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112820629A(43)申请公布日2021.05.18(21)申请号202011627236.X(22)申请日2020.12.31(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号1-4幢、6-19幢(72)发明人熊伟(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人苗晓娟(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)B24B37/34(2012.01)B24B37/08(2012.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种晶圆研磨方法(57)摘要本发明提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止真空吸附部件对晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对晶圆的双面进行研磨；晶圆载出步骤：将晶圆载出研磨腔室。本发明在晶圆研磨工艺之前增加晶圆背面清洗步骤，通过施加清洗液、毛刷摩擦的物理清洗方式，使得前序工艺残留的切割液和颗粒物更多的从晶圆背面去除，从而有效保持晶圆背面的清洁，避免后续晶圆因真空吸附部件与晶圆背面之间存在残留颗粒物而造成晶圆背面缺陷，从而有效改善研磨工艺的效果和晶圆的品质，提高产品良率。CN112820629ACN112820629A权利要求书1/1页1.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将所述晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附所述晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止所述真空吸附部件对所述晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对所述晶圆的双面进行研磨；晶圆载出步骤：在研磨结束后，将所述晶圆载出研磨腔室。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：在所述晶圆背面清洗步骤中，施加清洗液于所述晶圆背面，并采用毛刷摩擦所述晶圆背面。3.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述清洗液包括纯水、酒精中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：采用喷淋部件施加清洗液于所述晶圆的背面，所述喷淋部件包括喷淋杆，所述喷淋杆的末端设有允许清洗液喷出的开口，在所述晶圆背面清洗步骤中，所述晶圆的背面朝下，所述开口位于所述晶圆下方。5.根据权利要求4所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述喷淋杆以水平伸缩方式运动或者以水平摆动方式运动，以使清洗液按照预设轨迹运动。6.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述毛刷以旋转方式摩擦所述晶圆的背面，在所述晶圆背面清洗步骤中，所述晶圆和所述毛刷按相反方向做自转运动。7.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述毛刷以旋转方式摩擦所述晶圆的背面，在所述晶圆背面清洗步骤中，所述晶圆固定不动，所述毛刷自转同时绕所述晶圆做公转运动，公转方向是顺时针或者逆时针。8.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述晶圆的旋转轴位置经过所述晶圆的几何中心，并且垂直于所述晶圆所在的水平面，所述毛刷的旋转轴位置经过所述毛刷的几何中心，并且垂直于所述毛刷所在的水平面，所述毛刷的旋转轴位置与所述晶圆的外侧边缘之间的水平距离不小于所述晶圆直径的四分之一。9.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述毛刷材质包括天然毛料及人造纤维中的至少一种。10.根据权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：在所述晶圆载入步骤中，采用真空手臂吸附所述晶圆的正面以将所述晶圆载入研磨腔室，当所述真空吸附部件吸附住所述晶圆的背面之后，停止所述真空手臂对所述晶圆正面的吸附；在所述晶圆载出步骤中，采用所述真空吸附部件再次吸附所述晶圆的背面，然后采用所述真空手臂再次吸附所述晶圆的正面，当所述真空手臂吸附住所述晶圆的正面之后，停止所述真空吸附部件对所述晶圆背面的吸附。11.根据权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：在所述晶圆载出步骤之后，还包括晶圆清洗步骤；所述晶圆清洗步骤包括施加清洗液于所述晶圆的正面和/或背面，并采用毛刷摩擦所述晶圆的正面和/或背面。2CN112820629A说明书1/7页一种晶圆研磨方法技术领域[0001]本发明属于半导体技术领域，涉及一种晶圆研磨方法。背景技术[0002]高纯的晶体硅是良好的半导体材料，经掺杂改性后，能广泛应用于太阳能电池、二极管、三极管、场效应管以及各种集成电路元器件中。随着半导体器件的快速发展，对晶体硅片的要求也是越来越高。传统的硅片加工工艺流程包括：单晶生长、切断、外径滚磨、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装。在硅片加工过程中会引进微量的