一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112941478A(43)申请公布日2021.06.11(21)申请号202110124826.9C25D11/06(2006.01)(22)申请日2021.01.29C25D3/38(2006.01)C25D3/40(2006.01)(71)申请人山东金宝电子股份有限公司C23C28/02(2006.01)地址265400山东省烟台市招远市国大路268号(72)发明人范翠玲李昊坤王学江孙云飞徐好强王其伶张艳卫王先利薛伟(74)专利代理机构烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)37234代理人毛毛(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/16(2006.01)C25D7/06(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图1页(54)发明名称一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，依次包括载体层、中间层(剥离层)和极薄铜箔层；所述的载体层为经微弧氧化处理的铝箔；所述的中间层为利用溅镀方式于经微弧氧化处理的铝箔表面形成以Co、Ni、Mo构成的元素群中的一种元素的单一金属层或两种以上元素的合金层。本发明还公开了上述一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔的制备方法。本发明提供的载体超薄铜箔可以有效避免超薄铜箔在生产、运输、使用过程中产生褶皱、撕裂、打折等问题，同时载体层易于剥离，且剥离载体层后既不会损害铜箔层，也无载体层残留。本发明提供的制备方法简单，易于操作。CN112941478ACN112941478A权利要求书1/1页1.一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，其特征在于，依次包括载体层、中间层和极薄铜箔层；所述的载体层为经微弧氧化处理的铝箔；所述的中间层为利用溅镀方式于经微弧氧化处理的铝箔表面形成以Co、Ni、Mo构成的元素群中的一种元素的单一金属层或两种以上元素的合金层。2.根据权利要求1所述的微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，其特征在于，所述的极薄铜箔层为通过电解镀铜法形成于中间层上。3.根据权利要求1所述的微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，其特征在于，所述载体层选取厚度为18‑35μm铝箔，经微弧氧化处理得到0.5‑2μmAl2O3陶瓷层。4.根据权利要求1所述的微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，其特征在于，所述的中间层的厚度为10‑500nm。5.据权利要求1所述的微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔，其特征在于，所述的极薄铜箔层的厚度为0.5‑7.0μm。6.一种如权利要求1‑5任一项所述的微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备载体层：以纯铝箔为载体，用丙酮溶液清洗铝箔表面，然后依次使用乙醇与软水清洗铝箔表面；清洗后，对铝箔表明进行微弧氧化处理，得到载体层；(2)制备中间层：以金属X通过磁控溅射在步骤(1)获得的载体层上得到X金属层，所述的X为Co、Ni、Mo中的一种或两种以上的合金，得到中间层；(3)制备极薄铜箔层：通过硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜或氰化铜的电解浴在中间层上电镀形成极薄铜箔层。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，微弧氧化处理中的电解液组成包括：1‑10g/LNa2SiO3，1‑5g/LNaOH，0.5‑5g/LNa3PO3，0.5‑5g/LEDTA‑2Na；微弧氧化处理的电参数设定如下：正向电压200‑500V；负向电压0V；频率150‑400Hz；正向占空比10％‑40％；负向占空比10％‑40％；处理时间0.5‑2min。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，磁控溅射的条件如下：装置为单片式磁控溅射装置；靶为X靶；极限真空度为不足1×10‑4Pa；载气为Ar；溅射时间为0.5‑2min。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，靶为直径8英寸的X靶；溅射压为0.33Pa；溅射电力为1500W；成膜时温度为40℃。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，使用硫酸铜浴在中间层上电镀形成极薄铜箔层，其电解液组成包括：铜浓度70‑110g/L；硫酸浓度80‑120g/L；氯化物离子浓度20‑50ppm；添加剂水解胶原蛋白20‑80ppm；电解镀铜的电参数设定如下：电流密度为30‑120A/dm2；电解液温度为40‑80℃；处理时间为0.1‑2min。2CN112941478A说明书1/8页一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及附载体超薄铜箔的制作方法，尤其涉及一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔及其制备方法。背景技术[0002]近年来，随着科技的进步以及对高端产品需求的提升，电子器件的小型