一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114657610A(43)申请公布日2022.06.24(21)申请号202210311750.5(22)申请日2022.03.28(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号(72)发明人周国云文雯罗宇兴于鹏鹏何为王守绪王翀杨文君(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232专利代理师敖欢(51)Int.Cl.C25D3/38(2006.01)C25D5/34(2006.01)C25D7/00(2006.01)H05K3/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图1页(54)发明名称一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法(57)摘要本发明涉及一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，为5G通信高频高速印制电路板提供关键性材料。本发明的可剥离超薄载体铜箔按照顺序依次为18μm载体铜箔、浸镀金属层、有机阻挡层、剥离层、超薄铜箔层及粗化层，本发明的浸镀金属层能够降低铜面的等电位点，增强载体铜箔与有机层的结合力，满足抗剥离强度的要求；将有机层和金属层共同作为剥离层使用，能够解决单一有机层在电沉积超薄铜箔层时容易引起导电不良、厚度不均匀以及使用前易于脱离载体的问题。本发明所制备的超薄载体铜箔厚度均在5μm左右，且都能成功剥离，表面也无铜粉和剥离层的残留。CN114657610ACN114657610A权利要求书1/2页1.一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：铜箔从下到上依次包括厚度为12‑35μm的载体铜箔(4)、剥离层(3)、超薄铜箔层(2)及粗化层(1)，复合剥离层(3)从下到上依次包括浸镀金属层(3c)、有机阻挡层(3b)、剥离层(3a)，制备包括以下制备步骤：(1)浸镀金属层的制备将表面处理后的载体铜箔浸镀一层等电位点低于9.1的金属，经水洗后对浸镀金属进行氧化或羟基化，再涂覆一层有机硅烷，并进行干燥处理；(2)有机阻挡层的制备将上述步骤处理后的铜箔浸渍在苯并三氮唑、羧基苯并三氮唑、噻唑、2,4‑三唑、油酸、2‑苯并咪唑硫醇、2‑巯基苯并噻唑、亚麻酸化合物中至少一种的有机溶液中；(3)剥离层的制备将上述步骤处理后的铜箔在含有铁、镍、锌、铝、钛、钨其中一种元素的电解液中进行电沉积，其中阳极为铱钽涂层钛电极；(4)超薄铜箔的制备将上述步骤处理后的铜箔置于盛有铜离子、浓硫酸的电镀槽中进行铜电沉积，并在硫酸铜电解液中加入Cl‑、聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠和乙基纤维素，其中阳极为铱钽涂层钛电极；(5)粗化层的制备将上述步骤处理后的铜箔置于盛有铜离子、浓硫酸的电镀槽中进行表面粗化处理，并在硫酸铜电解液中加入聚二硫二丙烷磺酸钠和乙基纤维素，阳极为铱钽涂层钛电极。2.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(1)中等电位点低于9.1的金属选自铁、钛、锡、锰其中一种。3.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：超薄铜箔厚度为4‑6μm。4.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述有机溶液的浓度为0.05‑10g/L，并吸附厚度为100nm‑2μm有机层。5.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述剥离层在温度为25‑60℃、电流密度为5‑30A/dm2和pH为1‑6的条件下置于电镀槽中进行电沉积，并形成厚度为300nm‑3μm的剥离层。6.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(4)铜离子浓度为50‑90g/L、硫酸浓度为90‑140g/L，并在硫酸铜电解液中加入50‑100mg/L的Cl‑、10‑200mg/L的聚乙二醇、2‑20mg/L的聚二硫二丙烷磺酸钠、0.1‑1mg/L的乙基纤维素。7.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(4)超薄铜箔的制备在温度为25‑70℃、电流密度为30‑100A/dm2的条件下进行，沉积时间为5‑30s。8.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(5)铜离子浓度为10‑20g/L、硫酸浓度为90‑120g/L，并在硫酸铜电解液中加入20mg/L的聚二硫二丙烷磺酸钠、5mg/L的乙基纤维素。9.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：步骤(5)铜箔表面粗化处理在温度为20‑35℃、电流密度为20‑45A/dm2的条件下进行，沉积时间为2CN114657610A权利要求书2/2页10‑30s。10.根据权利要求1所述的一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于：在步骤(1)前还包括：阴极的准备：选取印制电路板制造用双面铜箔作