转移基板及其制作方法、芯片转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112967979A(43)申请公布日2021.06.15(21)申请号202010677132.3(22)申请日2020.07.14(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人翟峰唐彪(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称转移基板及其制作方法、芯片转移方法(57)摘要本发明涉及一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法。转移基板本体正面上设置有具有粘附性的胶层，且胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°，也即其上表面为疏水性表面或超疏水性表面；因此在使用该转移基板从芯片的生长基板上转移芯片过程中，对于残留在转移基板上表面上的金属镓，可以直接将该金属镓液态化后，利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性，将转移基板倾斜一定角度，就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离，从而可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。CN112967979ACN112967979A权利要求书1/1页1.一种转移基板，其特征在于，包括：基板本体；设置于所述基板本体正面上，且具有粘附性的胶层；所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述胶层包括在所述基板本体正面上，从下往上依次设置的第一胶层和第二胶层，所述胶层的上表面为所述第二胶层的上表面，所述第二胶层中混合有疏水性粒子，所述疏水性粒子在所述第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述第一胶层和第二胶层的材质相同。4.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述第一胶层的厚度为10微米至15微米，所述第二胶层的厚度为5微米至10微米。5.如权利要求2-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述疏水性粒子为尺寸为纳米级或微米的粒子。6.如权利要求2-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述疏水性粒子包括以下中的至少一种：分子筛、介孔二氧化硅粉末、气相二氧化硅粉末。7.如权利要求1-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述液滴静态接触角大于等于150°。8.一种如权利要求1-7任一项所述的转移基板的制作方法，其特征在于，包括：提供基板本体；在所述基板本体正面上形成具有粘附性的胶层，所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。9.如权利要求8所述的转移基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板本体正面上形成具有粘附性的胶层包括：在所述基板本体正面上形成第一胶层；采用混合有疏水性粒子的胶液在所述第一胶层上形成第二胶层，所述疏水性粒子在所述第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。10.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：将生长基板上生长有芯片的一面，与如权利要求1-7任一项所述的转移基板上设有所述胶层的一面贴合，使得所述芯片粘附在所述胶层上；通过激光照射所述生长基板，以使所述生长基板与所述芯片之间的氮化镓在所述激光作用下分解为氮和镓，部分镓落至所述胶层的上表面；对所述转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓；将所述转移基板倾斜，使得所述液态镓流离所述转移基板。2CN112967979A说明书1/7页转移基板及其制作方法、芯片转移方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法。背景技术[0002]微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode，Micro-LED)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示，与传统的LED相比，它具有相同的发光原理。而Micro-LED显示技术中第一道关键技术是去除蓝宝石衬底所使用的激光剥离技术。激光能量透过双抛蓝宝石衬底，被氮化镓层吸收产生化学反应：GaN→Ga+N2。在采用激光剥离技术时，有一部金属镓残留在转移基板上，在从转移基板转移Micro-LED芯片之前，需要使用稀盐酸溶液在一定温度下进行反应：2Ga+4HCl＝2GaCl2+2H2；而这个过程中使用的溶液难免会有水汽残留在Micro–LED芯片的电极之间，严重的会导致Micro–LED芯片短路，对Micro–LED芯片的可靠性造成了严重的影响。[0003]因此，如何实现在除残留在转移基板上的金属镓的同时，避免水汽残留是亟需解决的问题。发明内容[0004]鉴于上述