暂态基板及LED芯片转移方法.pdf
绮兰****文章
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暂态基板及LED芯片转移方法.pdf
本发明提供了一种暂态基板及LED芯片转移方法,该暂态基板包括第一基板、第二基板、液晶分子、公共电极及多个对位结构;第一基板和第二基板对盒设置,液晶分子填充在两者之间,公共电极形成在第一基板上,多个对位结构间隔形成在第二基板上,对位结构包括形成在第二基板的一侧的驱动电极、形成在第二基板远离第一基板的一侧的光敏部,形成在第二基板远离第一基板的一侧的第一电极和第二电极,光敏部的至少部分与驱动电极相接触,第一电极与光敏部相接触,第二电极与光敏部和驱动电极间隔设置,第一电极的顶面和第二电极的顶面均设置有光解胶层。本
一种暂态基板及芯片转移方法.pdf
本发明涉及一种暂态基板及芯片转移方法,所述暂态基板用于芯片的转移,所述暂态基板包括:基板本体,所述基板本体上设有若干芯片承载区,一个所述芯片承载区用于承载至少一颗芯片;形成于所述基板本体上,与所述芯片承载区相通的沟槽;形成于各所述芯片承载区上的粘胶层,通过所述粘胶层的黏性将芯片固定于所述芯片承载区,且所述粘胶层在受热由固态变为液态和/或汽态时,其中的至少一部分流入所述沟槽。上述暂态基板上的沟槽可使汽化胶材快速有效地排出,防止了汽化胶材对芯片的影响,避免了芯片发生偏移、翻转的情况,提高了芯片剥离的质量。在加
转移基板及其制作方法、芯片转移方法.pdf
本发明涉及一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法。转移基板本体正面上设置有具有粘附性的胶层,且胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°,也即其上表面为疏水性表面或超疏水性表面;因此在使用该转移基板从芯片的生长基板上转移芯片过程中,对于残留在转移基板上表面上的金属镓,可以直接将该金属镓液态化后,利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性,将转移基板倾斜一定角度,就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离,从而可实现将残留的金属镓无水去除,不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓,避免水汽残留对芯片造成的不利
一种LED芯片转移方法.pdf
本发明公开一种LED芯片转移方法,包括步骤:S1,提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板及激光扩散结构;S2,将激光扩散结构置于生长衬底背离LED芯片的一侧,将目标基板朝向LED芯片放置;S3,自激光扩散结构背离生长衬底的一侧照射激光,借由激光将LED芯片从生长衬底上剥离,使LED芯片转移至目标基板。本发明在生长衬底背离LED芯片的一侧设置激光扩散结构,激光穿过激光扩散结构时,能量被激光扩散结构吸收、分散,使激光实际到达生长衬底与LED芯片的连接界面的能量更加均匀、分散,避免LED芯片受热不均匀,出
一种LED芯片转移方法.pdf
本发明公开了一种LED芯片转移方法,包括:将第一基板上吸附的LED芯片的第一键合部位与第二基板上的第二键合部位接触连接;通电点亮LED芯片;检测识别正常发光的LED芯片和无法正常发光的LED芯片;将正常发光的LED芯片的第一键合部位键合在其接触的第二键合部位上,该键合的作用力大于第一基板对LED芯片的吸附力;将第一基板和第二基板分离,使正常发光的LED芯片离开第一基板,并保留在第二基板上。该LED芯片转移方法不仅简单、有效,而且无法正常发光的LED芯片不进行键合,不会对第二基板或无法正常发光的LED芯片的