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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113921442A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202010658655.3(22)申请日2020.07.09(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)(72)发明人蒲洋洪温振(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L33/62(2010.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图10页(54)发明名称芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及显示背板(57)摘要本发明涉及一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及显示背板。芯片转移组件包括的转移基板上,设置有芯片粘接件,芯片粘接件的粘附层可与生长基板贴合,将微型LED芯片从生长基板转移至转移基板上,芯片粘接件的牺牲层的一部分可被目标溶解去除,剩余部分作为支撑体,以降低微型LED芯片与转移基板之间的粘附强度,从而在从转移基板上拾取微型LED芯片时,不再需要对转移基板上的粘附层通过光或热的方式进行解粘处理的步骤,简化了微型LED芯片转移步骤,并提升了微型LED芯片转移的便捷性和转移效率,在一定程度上缩短了显示背板及显示装置的制作周期并降低了制作成本。CN113921442ACN113921442A权利要求书1/2页1.一种芯片转移组件,其特征在于,包括:转移基板,以及设于所述转移基板其中一面上的多组芯片粘接件,其中,所述多组芯片粘接件在所述转移基板上的位置分布与待转移的多颗微型LED芯片在生长基板上的位置分布相对应,一组所述芯片粘接件对应一颗所述微型LED芯片;所述芯片粘接件包括在所述转移基板上从上往下依次设置的粘附层和牺牲层,其中:所述粘附层用于在所述转移基板与所述生长基板贴合时与对应的微型LED芯片上的第一保护层粘接,以将所述微型LED芯片从所述生长基板上脱落;所述牺牲层的一部分在所述微型LED芯片从所述生长基板转移至所述粘附层上之后,与目标溶液发生反应被溶解去除,所述牺牲层的剩余部分作为将所述粘附层支撑于所述转移基板上的支撑体,所述支撑体在所述粘附层上的微型LED芯片被拾取过程中受拉力,随所述微型LED芯片和粘附层一起从所述转移基板上脱落;所述第一保护层和所述粘附层与所述目标溶液不发生反应。2.如权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述芯片粘接件还包括设置于所述粘附层和牺牲层之间的阻挡层,所述阻挡层的硬度高于所述粘附层,所述阻挡层与所述目标溶液不发生反应。3.如权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述目标溶液为酸性溶液,所述牺牲层为能与所述酸性溶液发生反应的碱性有机物胶层,所述牺牲层直接设置于所述转移基板上;或,所述牺牲层为能与所述酸性溶液发生反应的金属膜层,所述芯片粘接件还包括设置于所述牺牲层与所述转移基板之间的剥离层,所述剥离层与所述目标溶液不发生反应,所述牺牲层与所述剥离层之间的粘附力,小于所述牺牲层直接设置于所述转移基板上时,与所述转移基板之间的粘附力。4.如权利要求1-3任一项所述的芯片转移组件,其特征在于,一组所述芯片粘接件包括两个所述芯片粘接件,所述两个芯片粘接件的位置分别与所述微型LED芯片的两个电极的位置相对应,且所述两个芯片粘接件之间具有间隙;或,一组所述芯片粘接件包括一个所述芯片粘接件,所述一个芯片粘接件的位置与所述微型LED芯片的两个电极之间的目标区域位置相对应。5.一种如权利要求1-4任一项所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,包括:在转移基板的其中一面上从下往上依次设置牺牲层和粘附层;根据待转移的多颗微型LED芯片在生长基板上的位置分布,将所述牺牲层和所述粘附层的一部分去除,所述牺牲层和所述粘附层的剩余部分组成所述多组芯片粘接件,一组所述芯片粘接件对应一颗所述微型LED芯片。6.如权利要求5所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,所述在转移基板的其中一面上从下往上依次设置牺牲层和粘附层包括:在所述转移基板的其中一面上设置牺牲层;在所述牺牲层上设置阻挡层,所述阻挡层的硬度高于所述粘附层;在所述阻挡层上设置粘附层;2CN113921442A权利要求书2/2页所述将所述牺牲层和粘附层的一部分去除时,还包括将所述阻挡层对应的部分也去除。7.如权利要求5或6所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,所述牺牲层为金属膜层时,所述在转移基板的其中一面上从下往上依次设置牺牲层和粘附层包括:在所述转移基板的其中一面上设置剥离层;在所述剥离层上设置牺牲层,所述牺牲层与所述剥离层之间的粘附力,小于所述牺牲层直接设置于所述转移基板上时与所述转移基板之间的粘附力;在