转移基板、转移方法及发光基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113707597A(43)申请公布日2021.11.26(21)申请号202111005420.5(22)申请日2021.08.30(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人李海旭董学袁广才谷新(74)专利代理机构北京华夏泰和知识产权代理有限公司11662代理人韩来兵(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称转移基板、转移方法及发光基板(57)摘要本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。转移基板包括第一基板、解离胶单元和待转移元件，解离胶单元阵列排布在第一基板的同一侧；待转移元件通过解离胶单元粘贴在第一基板上；解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得待转移元件脱离第一基板而坠落，解离胶单元在第一基板上的正投影完全位于目标光线在第一基板上所形成的光斑内。可以实现通过对单个待转移元件的单次照射即可完成解离胶单元的解离，提升了待转移元件的掉落精度，使得待转移元件坠落后的位置可控。CN113707597ACN113707597A权利要求书1/1页1.一种转移基板，其特征在于，包括：第一基板；解离胶单元，阵列排布在所述第一基板的同一侧；待转移元件，所述待转移元件通过所述解离胶单元粘贴在所述第一基板上；其中，所述解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得所述待转移元件脱离所述第一基板，所述解离胶单元在所述第一基板上的正投影位于所述目标光线在所述第一基板上所形成的光斑内。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的厚度为1‑3μm。4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括一个解离胶块，所述解离胶块的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。5.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括多个解离胶块，多个所述解离胶块整体的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。6.根据权利要求4或5所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶块的形状为圆柱形、圆台形、棱柱形或棱台形。7.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述目标光线为紫外激光。8.一种转移方法，其采用权利要求1‑7任一项所述的转移基板实现，其特征在于，所述转移方法包括：提供一第一基板；在所述第一基板的同一侧形成阵列排布的解离胶单元；将待转移元件设置在所述解离胶单元上；在所述第一基板远离所述解离胶单元的一侧提供目标光线，所述目标光线穿过所述第一基板照射到所述解离胶单元上，以使得所述待转移元件脱离所述第一基板转移至第二基板。9.根据权利要求8所述的转移方法，其特征在于，在所述第一基板的同一侧形成阵列排布的解离胶单元的步骤包括：在所述第一基板的一侧形成解离胶层；将所述解离胶层进行图案化处理，得到阵列排布的所述解离胶单元。10.根据权利要求8所述的转移方法中，其特征在于，在将所述将待转移元件设置在所述解离胶单元上的步骤中，控制所述待转移元件的几何中心正对所述解离胶单元的几何中心，且对位误差不大于0.6μm。11.一种发光基板，通过如权利要求8‑10任一项所述的转移方法制备而得其特征在于，所述发光基板包括：第二基板；以及发光二极管，设置在所述第二基板上，所述发光二极管表面的中部区域形成有残胶。2CN113707597A说明书1/7页转移基板、转移方法及发光基板技术领域[0001]本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。背景技术[0002]目前，更小尺寸的微型发光二极管可以使得高分辨率更容易实现，比如可以获得4K甚至8K分辨率的智能手机或虚拟现实屏幕。微型发光二极管除了拥有上述优点之外，还在对比度、色域和柔性显示屏领域拥有更大的优势，这些都让微型发光二极管技术再与OLED技术相比时具有显著的优势。[0003]然而，微型发光二极管包括MicroLED或MiniLED。MiniLED的尺寸维度在200μm左右，MicroLED的尺寸维度在100μm以下，目前现有的激光光斑尺寸范围一般介于10‑50μm之间，在微型发光二极管以及迷你发光二极管的面板产品的激光巨量解离工艺中，当具有小尺寸的光斑对发光二极管对应的大尺寸解离胶进行解离时，存在对单个发光二极管多次照射的情况，此种情况影响发光二极管的坠落位置精度，造成发光二极管坠落后位置不可控。发明内容[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了一种转移基板及转移方法，还提