白光LED芯片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109980065A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201711441287.1(22)申请日2017.12.27(71)申请人晶能光电（江西）有限公司地址330096江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号(72)发明人肖伟民徐海(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/50(2010.01)H01L33/54(2010.01)H01L33/56(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称白光LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种白光LED芯片及其制备方法，包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、保护层、高反胶以及荧光膜片；其中，金属电极设于LED芯片的下表面；荧光膜片设于LED芯片的上表面，且荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积；透明硅胶于荧光膜片表面呈弧状设于LED芯片四周；保护层位于透明硅胶表面；高反胶沿保护层表面设于LED芯片和荧光膜片四周。在透明硅胶和高反胶的接触界面制备一层致密的硬质保护层，有效阻挡挥发性有机物透过透明硅胶进入LED芯片，解决由挥发性有机物的残留导致LED芯片色度发生变化的技术问题，进而解决LED芯片的出光问题，保证LED芯片发出的白光均匀。CN109980065ACN109980065A权利要求书1/1页1.一种白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片中包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、保护层、高反胶以及荧光膜片；其中，所述金属电极设于所述LED芯片的下表面；所述荧光膜片设于所述LED芯片的上表面，且所述荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积；所述透明硅胶于所述荧光膜片表面呈弧状设于所述LED芯片四周；所述保护层位于所述透明硅胶表面；所述高反胶沿所述保护层表面设于所述LED芯片和荧光膜片四周。2.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层由硬质材料制备而成，硬度范围为5.5～6.5H。3.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层的厚度为1～50μm。4.如权利要求2或3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层由二丁醚制备而成。5.如权利要求1或2或3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述荧光膜片设于所述LED芯片的上表面，且所述荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积，所述荧光膜片沿所述LED芯片的中心位置设置。6.如权利要求1或2或3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述透明硅胶于所述荧光膜片表面朝向荧光膜片呈弧状设于所述LED芯片四周。7.一种白光LED芯片制备方法，其特征在于，所述白光LED芯片制备方法中包括：将倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上；在相邻LED芯片之间印刷透明硅胶并固化；在透明硅胶表面喷涂保护层并固化；在相邻LED芯片之间的保护层表面填充高反胶并固化；去除支撑基板，将荧光膜片设置在LED芯片表面；沿切割道切割荧光膜片和高反胶，得到白光LED芯片。8.如权利要求7所述的白光LED芯片制备方法，其特征在于，所述保护层由硬质材料制备而成，硬度范围为5.5～6.5H。9.如权利要求7所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层的厚度为1～50μm。10.如权利要求8或9所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层由二丁醚制备而成。2CN109980065A说明书1/3页白光LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种白光LED芯片及其制备方法。背景技术[0002]LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED，尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。[0003]如图1所示(1为倒装蓝光LED芯片，2为透明硅胶，3为荧光膜片，4为支撑基板，5为高反胶)，为了得到出光均匀的倒装白光LED芯片，在制备过程中，会先在LED芯片的四周围一圈碗状的透明硅胶，之后再在透明硅胶表面填充高反射胶。但是，由于透明硅胶有透气性，固态照明器件的垫圈材料、助焊剂等中存在的不相容挥发性有机物(VolatileOrganicCompounds，VOC)会透过硅胶进入芯片表面，且不能完全挥发残留在透明硅胶中，导致芯片的色度变化，从而影响芯片的光输出能力。发明内容[0004]针对上述问题，本发明旨在提供一种白光LED芯片及其制备方法，有效