一种晶片清洗方法及系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113441453A(43)申请公布日2021.09.28(21)申请号202110653070.7F26B23/04(2006.01)(22)申请日2021.06.11F26B25/02(2006.01)(71)申请人湖南国创同芯科技有限公司地址414000湖南省岳阳市城陵矶新港区六九零六科技有限公司孵化一楼一号(72)发明人解华林(74)专利代理机构长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙)43207代理人彭少波(51)Int.Cl.B08B3/02(2006.01)B08B3/12(2006.01)B08B11/00(2006.01)B08B11/02(2006.01)F26B11/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图9页(54)发明名称一种晶片清洗方法及系统(57)摘要本发明公布了一种晶片清洗方法及系统，属于晶片清洗领域，包括以下步骤：A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，D、纯水超音，E、高温除菌，F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，通过冲洗的方式对晶片清洗，可以减少水的使用，并且通过冲击式的水流对晶片进行冲洗时，能够使晶片表面残留的药液和微尘、污渍去除的更加干净，对晶片进行烘烤的时候，通过自转的方式使晶片在经过加热区域的时候能够受热均匀，从而能够使晶片在不同的区域呈现出不同的运动状态，以适应在烘烤时的温度的不均匀性。CN113441453ACN113441453A权利要求书1/2页1.一种晶片清洗方法，包括以下步骤：A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；药液配比2％‑4％；清洗温度：45℃‑55℃；时间：12‑15min；B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，去除掉晶片表面的药液和残存的微尘、污渍，冲洗时间：30s以上；C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，时间：12‑16min；D、纯水超音：使用纯水进行超声波清洗，温度：50℃‑70℃；时间：12‑16min；E、高温除菌：时间12‑16min；F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，烘烤温度140℃‑160℃；烘烤时间：60min以上。2.一种用于权利要求1所述晶片清洗方法的冲洗设备，其特征在于：包括箱体(10)，所述箱体(10)内放置篮筐(11)，清洗的晶片放置于所述篮筐(11)内，所述篮筐(11)内部空心，且其侧边部分设置有若干个出水管(16)，出水管(16)上设置若干个雾化喷头(17)，所述箱体(10)内转动设置对晶片进行冲洗的清洗部(12)，所述清洗部(12)和所述出水管(16)分别连接水源，连接水源的管道上设置控制管道通断的控制机构。3.根据权利要求2所述的冲洗设备，其特征在于：所述篮筐(11)上设置有将晶片夹具(13)托起的托板(14)，所述托板(14)上设置将所述晶片夹具(13)夹紧的压板(15)，所述出水管(16)穿过所述晶片夹具(13)之间的间隙，且所述雾化喷头(17)朝向所述晶片夹具(13)设置，所述出水管(16)内滑动设置滑移管道(18)，所述滑移管道(18)上设置可与所述雾化喷头(17)相连通的通孔，所述滑移管道(18)向所述出水管(16)的一侧延伸并贯穿所述篮筐(11)，所述滑移管道(18)上连接驱动其运动的驱动组件。4.根据权利要求3所述的冲洗设备，其特征在于：所述箱体(10)的顶面铰接设置盖板(35)，所述篮筐(11)的顶部铰接设置压杆(36)，所述压杆(36)端部与所述盖板(35)相接触，所述压杆(36)上设置将所述压板(15)的表面压住的压块。5.一种用于权利要求1所述晶片清洗方法的烘烤设备，其特征在于：包括烘烤箱体(19)，所述烘烤箱体(19)的内腔内设置带动晶片位置进行变化的变换机构，所述烘烤箱体(19)的内腔内设置有加热组件，所述烘烤箱体(19)的底面上滑动设置滑移台(21)，所述变换机构转动设置在所述滑移台(21)上，所述变换机构上设置有中心轴(22)，所述中心轴(22)连接气源并向所述烘烤箱体(19)的内腔内通入气体。6.根据权利要求6所述的烘烤设备，其特征在于：所述加热组件包括固定设置于所述烘烤箱体(19)的内腔内的加热箱(23)，所述加热箱(23)内设置加热管。7.根据权利要求6所述的烘烤设备，其特征在于：所述变换机构包括转台(20)，所述转台(20)连接驱动源，所述转台(20)上固定设置封闭箱(24)和扰流板(25)，所述扰流板(25)和所述中心轴(22)的出气口设置于所述封闭箱(24)内，所述转台(20)上转动设置若干个放置晶片夹具(13)的