制造半导体器件的衬底的方法、对应衬底和半导体器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547840A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202210757739.1(22)申请日2022.06.29(30)优先权数据1020210000172312021.06.30IT17/848,6122022.06.24US(71)申请人意法半导体股份有限公司地址意大利阿格拉布里安扎(72)发明人M·马佐拉(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256专利代理师董莘(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L23/495(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称制造半导体器件的衬底的方法、对应衬底和半导体器件(57)摘要本公开的各实施例涉及制造半导体器件的衬底的方法、对应衬底和半导体器件。用于半导体器件的预模制引线框架通过将电绝缘材料模制到包括半导体器件组件裸片焊盘的导电材料的层状雕刻结构上来制造。第一裸片焊盘和第二裸片焊盘经由来自第一裸片焊盘的第一延伸部和来自第二裸片焊盘的第二延伸部在引线框架的前表面上的相邻位置处耦合，并且桥接形成件在引线框架的后表面处耦合第一延伸部和第二延伸部。桥接形成件在第一延伸部和第二延伸部分之间提供牺牲连接，牺牲连接在模制电绝缘材料之后选择性地被移除，以便使第一裸片焊盘和第二裸片焊盘彼此解耦。牺牲连接的移除留下形成在引线框架的第二表面处的腔体而不影响裸片焊盘的形状。CN115547840ACN115547840A权利要求书1/2页1.一种方法，包括：将电绝缘材料模制到导电材料的层状雕刻结构上以产生引线框架，所述引线框架具有相对的第一表面和第二表面，并且包括被配置为具有安装在其上的半导体器件组件的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘；在导电材料的所述层状雕刻结构中，在所述引线框架的所述第一表面的邻近位置处，提供来自所述第一裸片焊盘的第一延伸部和来自所述第二裸片焊盘的第二延伸部；在导电材料的所述层状雕刻结构中，在所述引线框架的所述第二表面处，提供耦合所述第一延伸部和所述第二延伸部的桥接形成件，其中所述第一延伸部和所述第二延伸部加上其间的所述桥接形成件提供所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘的耦合形成件；将电绝缘材料模制到导电材料的所述层状雕刻结构上；以及在所述模制之后，至少部分地移除在所述第一延伸部与所述第二延伸部之间的所述桥接形成件，以将所述第一裸片焊盘与所述第二裸片焊盘解耦。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述引线框架的所述第一表面处将半导体器件组件安装至所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘。3.根据权利要求1所述的方法，其中：提供所述第一延伸部和所述第二延伸部包括：分别形成所述第一延伸部和所述第二延伸部的远端，所述第一延伸部和所述第二延伸部的远端分别位于与所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘相距一距离处；以及提供所述桥接形成件包括：在所述第一延伸部和所述第二延伸部的所述远端之间形成所述桥接形成件，其中所述桥接形成件位于与所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘相距一距离处。4.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述第一延伸部和所述第二延伸部包括：将所述第一延伸部和所述第二延伸部分别形成为来自所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘的指状延伸部。5.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述第一延伸部和所述第二延伸部包括：将所述第一延伸部和所述第二延伸部分别形成为来自所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘的相互会聚的延伸部。6.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分地移除所述桥接形成件是结合所述引线框架的可润湿侧面的形成来执行的。7.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分地移除所述桥接形成件在所述引线框架的所述第二表面处留下腔体。8.一种用于半导体器件的预模制引线框架，包括：导电材料的层状雕刻结构，包括相对的第一表面和第二表面以及多个裸片焊盘，所述裸片焊盘被配置为具有安装在其上的半导体器件组件；将电绝缘材料模制到导电材料的所述层状雕刻结构上；其中：所述多个裸片焊盘中的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘在所述引线框架的所述第一表面的相邻位置处分别呈现第一延伸部和第二延伸部；以及所述引线框架的所述第二表面具有其中缺少所述电绝缘材料的凹陷部分，所述凹陷部2CN115547840A权利要求书2/2页分在所述第一延伸部与所述第二延伸部之间以桥接状延伸。9.根据权利要求8所述的预模制引线框架，其中所述多个裸片焊盘被配置为在所述引线框架的所述第一表面处具有安装在其上的半导体器件组件。10.根据权利要求8所述的预模制引线框架，其中：所述第一延伸部和所述第二延伸部的远端分别与所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘相距一距离；以及所述凹陷部分位于与在所述远端之间延伸的所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘相距一距离处。1