电子装置及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113539923A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号202010322010.2(22)申请日2020.04.22(71)申请人深圳市柔宇科技有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋(72)发明人阿密特·古普塔康佳昊袁泽(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人熊永强(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书4页说明书10页附图10页(54)发明名称电子装置及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种电子装置的制备方法，包括提供预制电子装置(100)，提供预制电子装置(100)包括提供硅基板(110)；在硅基板(110)一侧形成第一绝缘层(120)；在第一绝缘层(120)远离硅基板(110)的一侧形成电子元件层(130)，电子元件层(130)包括发光功能层或者连接件层；将至少部分硅基板(110)移除。本发明还提供电子装置。本发明通过在预制电子装置中设置硅基板作为承载体，然后在硅基板上形成预制电子装置的其他部件，再去除至少部分硅基板，采用硅基板作为承载体相较于其他基板，最后被移除时可通过干蚀刻法以保护电子装置中对水敏感的部件，或者可保留部分硅基板作为电子装置的一部分，用于与其他电子部件连接。CN113539923ACN113539923A权利要求书1/4页1.一种电子装置的制备方法，其特征在于，所述电子装置的制备方法包括：提供预制电子装置，所述提供预制电子装置包括：提供硅基板；在所述硅基板一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层，所述电子元件层包括发光功能层或者连接件层；将至少部分所述硅基板移除。2.如权利要求1所述的电子装置的制备方法，其特征在于，所述电子元件层包括发光功能层时，所述发光功能层包括有源器件层及发光元件，所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层”包括：在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成所述有源器件层；在所述有源器件层远离所述第一绝缘层的一侧形成所述发光元件。3.如权利要求1所述的电子装置的制备方法，其特征在于，所述“将至少部分所述硅基板移除”包括：将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理；将变薄后的硅基板通过第一干蚀刻法全部移除。4.如权利要求3所述的电子装置的制备方法，其特征在于，所述“将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理”包括：将所述硅基板远离所述电子元件层的表面通过第二干蚀刻法进行减薄处理；或者，将所述硅基板远离所述电子元件层的表面通过研磨进行减薄处理。5.如权利要求1所述的电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“提供硅基板”和所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”之间，所述提供预制电子装置还包括：在所述硅基板的一侧形成柔性层；所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”包括：在所述柔性层远离所述硅基板的一侧形成第一绝缘层；在所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层”之后，所述提供预制电子装置还包括：在所述电子元件层远离所述柔性层的一侧形成弹性层；在所述“提供预制电子装置”和所述“将至少部分所述硅基板移除”之间，所述电子装置的制备方法还包括：在所述弹性层远离所述电子元件层的一侧形成保护层；在所述“将至少部分所述硅基板移除”之后，所述电子装置的制备方法还包括：将所述保护层移除。6.如权利要求2所述的电子装置的制备方法，其特征在于，所述“将至少部分所述硅基板移除”包括：将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理；在变薄后的所述硅基板上形成贯穿所述硅基板相对两表面的第一通孔，所述第一通孔延伸至有源器件层，以露出所述有源器件层朝向所述硅基板的部分表面；所述电子装置的制备方法还包括：在所述第一通孔中形成第一连接件，所述第一连接件与所述有源器件层连接；2CN113539923A权利要求书2/4页在所述第一连接件远离所述有源器件层的表面形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二通孔，在所述第二通孔中形成第二连接件，所述第二连接件覆盖部分所述第二绝缘层远离所述第一连接件的表面。7.如权利要求6所述的电子装置的制备方法，其特征在于，所述第一通孔延伸至发光元件，以露出所述发光元件朝向所述硅基板的部分表面；所述第一连接件与所述有源器件层及所述发光元件连接。8.如权利要求6所述的电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“提供硅基板”和所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”之间，所述提供预制电子装置还包括：在所述硅基板的表面上间隔形成多个子柔性层，相邻两个子柔性层之间形成第一间隔区；所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”包括：