弹性电子装置及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113555306A(43)申请公布日2021.10.26(21)申请号202010325241.9(22)申请日2020.04.23(71)申请人深圳市柔宇科技有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋(72)发明人袁泽康佳昊罗浩俊(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人熊永强(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书4页说明书10页附图8页(54)发明名称弹性电子装置及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种弹性电子装置的制备方法，包括将间隔区(12)的第一柔性层(200)部分的厚度设置小于器件区(11)的第一柔性层(200)部分的厚度；形成覆盖第一柔性层(200)和电子元件(300)的第一弹性层(400)；从第一基底(100)远离第一柔性层(200)的一侧对第一柔性层(200)进行激光照射，并将第一基底(100)移除；将第一柔性层(200)进行处理，形成第一柔性层岛屿(210)；在第一柔性层岛屿(210)和第一弹性层(400)远离电子元件(300)的表面形成第二弹性层(500)。本发明还提供一种弹性电子装置。本发明提供的弹性电子装置的制备方法通过在间隔区保留第一柔性层，使得第一基底和第一柔性层贴合，在激光照射时可有效地将第一基底移除。CN113555306ACN113555306A权利要求书1/4页1.一种弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述弹性电子装置的制备方法包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成第一柔性层，所述第一柔性层包括器件区以及位于所述器件区之间的间隔区；在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内；将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度；在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件；从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除；将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面；在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。2.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内”和所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：在所述电子元件远离所述第一基底的一侧形成多个第一保护层，每个所述第一保护层分别覆盖一个所述电子元件且位于所述器件区内；所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”和所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：将所述第一保护层移除。3.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：在所述第一弹性层远离所述第一基底的一侧形成第二保护层；在所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”和所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：在将所述第二保护层远离所述第一弹性层的表面贴设第二基底以支撑所述第二保护层和所述第一弹性层；在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二2CN113555306A权利要求书2/4页弹性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法还包括：将所述第二保护层和所述第二基底移除。4.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的